| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 251041 | BC640_J61Z | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251042 | BC646BDW1T1 | Transistors(NPN De fines generales Dual Se dobla) | Leshan Radio Company |
| 251043 | BC647BDW1T1 | Transistors(NPN De fines generales Dual Se dobla) | Leshan Radio Company |
| 251044 | BC647CDW1T1 | Transistors(NPN De fines generales Dual Se dobla) | Leshan Radio Company |
| 251045 | BC648BDW1T1 | Transistors(NPN De fines generales Dual Se dobla) | Leshan Radio Company |
| 251046 | BC648CDW1T1 | Transistors(NPN De fines generales Dual Se dobla) | Leshan Radio Company |
| 251047 | BC68-25PA | 20 V, 2 A Transistor NPN de pequeña | NXP Semiconductors |
| 251048 | BC68PA | 20 V, 2 A Transistor NPN de pequeña | NXP Semiconductors |
| 251049 | BC69-16PA | 20 V, 2 A Transistor PNP | NXP Semiconductors |
| 251050 | BC69-25PA | 20 V, 2 A Transistor PNP | NXP Semiconductors |
| 251051 | BC69PA | 20 V, 2 A Transistor PNP | NXP Semiconductors |
| 251052 | BC727 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS DEL AF DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 251053 | BC728 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS DEL AF DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 251054 | BC737 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS DEL AF DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 251055 | BC738 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS DEL AF DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 251056 | BC807 | Transistor de los fines generales de PNP | Philips |
| 251057 | BC807 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251058 | BC807 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 251059 | BC807 | Transistores Pequeños De la Señal (PNP) | Vishay |
| 251060 | BC807 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 251061 | BC807 | Transistores Pequeños De la Señal (PNP) | General Semiconductor |
| 251062 | BC807 | Transistor del Af Del Silicio de PNP | Infineon |
| 251063 | BC807 | Transistores del AF del silicio de PNP (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto) | Siemens |
| 251064 | BC807 | Transistor del silicio de PNP (alto uso actual de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 251065 | BC807 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 251066 | BC807 | TRANSISTOR DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
| 251067 | BC807 | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251068 | BC807 | 45 V, 500 mA PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251069 | BC807 | Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40 hFE. BC817 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 251070 | BC807-16 | Transistor de los fines generales de PNP | Philips |
| 251071 | BC807-16 | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251072 | BC807-16 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 251073 | BC807-16 | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251074 | BC807-16 | Transistores de fines generales - paquete SOT23 | Infineon |
| 251075 | BC807-16 | Transistores del AF del silicio de PNP (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto) | Siemens |
| 251076 | BC807-16 | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 251077 | BC807-16 | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251078 | BC807-16 | 45 V, 500 mA PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251079 | BC807-16 | Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.500A Ic, 100-250 hFE. BC817-16 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 251080 | BC807-16 | Pequeña señal del transistor (PNP) | General Semiconductor |
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