| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 252481 | BC857BT-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 252482 | BC857BTT1 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252483 | BC857BTT1-D | Silicio De fines generales Del Transistor PNP | ON Semiconductor |
| 252484 | BC857BV | Transistor doble de fines generales de PNP | Philips |
| 252485 | BC857BV | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252486 | BC857BV | Propósito general PNP Transistor doble | NXP Semiconductors |
| 252487 | BC857BV-7 | Transistores bipolares | Diodes |
| 252488 | BC857BW | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252489 | BC857BW | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252490 | BC857BW | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL PNP | ST Microelectronics |
| 252491 | BC857BW | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252492 | BC857BW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
| 252493 | BC857BW | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 252494 | BC857BW | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252495 | BC857BW | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 252496 | BC857BW | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252497 | BC857BW | PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252498 | BC857BW | Transistor PNP de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 252499 | BC857BW-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
| 252500 | BC857BW-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 252501 | BC857BW-G | Pequeña señal Transistor, V CBO = -50V, V CEO = -45V, V EBO = -5V, yo C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252502 | BC857BWT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252503 | BC857BWT1 | EL CASO 419-02, LABRA 3 SOT-323/sc-70 | Motorola |
| 252504 | BC857BWT1 | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 252505 | BC857C | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252506 | BC857C | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252507 | BC857C | Amplificador De los Fines generales de PNP | National Semiconductor |
| 252508 | BC857C | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252509 | BC857C | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252510 | BC857C | Transistores Pequeños De la Señal (PNP) | General Semiconductor |
| 252511 | BC857C | Transistores de fines generales - paquete SOT23 | Infineon |
| 252512 | BC857C | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252513 | BC857C | Transistor Pequeño 310mW De la Señal de PNP | Micro Commercial Components |
| 252514 | BC857C | Ruido Bajo Pequeño Del Transistor PNP De la Señal de SMD | Central Semiconductor |
| 252515 | BC857C | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 252516 | BC857C | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252517 | BC857C | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252518 | BC857C | PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252519 | BC857C | Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC847C Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252520 | BC857C | Transistor PNP de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
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