| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 253641 | BCR108L3E6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47 | Infineon |
| 253642 | BCR108S | Arsenal del transistor Digital del silicio de NPN (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito del conductor) | Siemens |
| 253643 | BCR108S | Transistor Digital Del Silicio de NPN | Infineon |
| 253644 | BCR108S E6327 | Transistores Incorporados Duales del Af Del Resistor; 2xNPN; Tipos industriales de Standars, Icmax de 100mA; Vceo de 50V | Infineon |
| 253645 | BCR108SE6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = 47 kOhm SOT363 | Infineon |
| 253646 | BCR108T | Solos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SC75 | Infineon |
| 253647 | BCR108TE6327 | Transistores Digital - R1 Los = 2,2kOhm; R2 los = 47kOhm | Infineon |
| 253648 | BCR108W | Transistor Digital del silicio de NPN (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito del conductor) | Siemens |
| 253649 | BCR108W | Solos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SOT323 | Infineon |
| 253650 | BCR108WE6327 | Transistores Digital - kOhm R1=2.2; KOhm R2=47 | Infineon |
| 253651 | BCR10CM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253652 | BCR10CM | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253653 | BCR10CM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253654 | BCR10CM-12 | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253655 | BCR10CM-12L | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253656 | BCR10CM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253657 | BCR10CM-8 | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253658 | BCR10CM-8L | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253659 | BCR10CS | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253660 | BCR10CS | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253661 | BCR10CS | TIPO MEDIO DEL USO NON-INSULATED DE LA ENERGÍA, TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Powerex Power Semiconductors |
| 253662 | BCR10PM | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253663 | BCR10PM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253664 | BCR10PM | Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253665 | BCR10PM-12 | Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253666 | BCR10PM-12L | Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253667 | BCR10PM-8 | Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253668 | BCR10PM-8L | Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253669 | BCR10PN | Transistores Digital - paquete SOT363 | Infineon |
| 253670 | BCR10PN | Arsenal Digital Tansistor del silicio de NPN/PNP (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito de impulsión) | Siemens |
| 253671 | BCR10UM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253672 | BCR112 | Transistores Digital - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7 | Infineon |
| 253673 | BCR112 | Transistor Digital del silicio de NPN (circuito de la conmutación, inversor, circuito del inferface, circuito del conductor) | Siemens |
| 253674 | BCR112F | Solos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tsfp-3 | Infineon |
| 253675 | BCR112FE6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253676 | BCR112L3 | Solos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tslp-3 | Infineon |
| 253677 | BCR112L3E6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253678 | BCR112T | Solos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SC75 | Infineon |
| 253679 | BCR112TE6327 | Transistores Digital - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7 | Infineon |
| 253680 | BCR112U | Transistor Digital Del Silicio de NPN | Infineon |
| | | |
