| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 254161 | BCR8CS-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254162 | BCR8PM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254163 | BCR8PM | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254164 | BCR8PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254165 | BCR8PM-12 | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254166 | BCR8PM-12L | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254167 | BCR8PM-14 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254168 | BCR8PM-14 | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254169 | BCR8PM-16 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254170 | BCR8PM-18 | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254171 | BCR8PM-20 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254172 | BCR8PM-20 | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254173 | BCR8PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254174 | BCR8PM-8 | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254175 | BCR8PM-8L | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254176 | BCR8UM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254177 | BCU81-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | SemeLAB |
| 254178 | BCU83-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | SemeLAB |
| 254179 | BCU86 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254180 | BCU86 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254181 | BCU86-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254182 | BCU86-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254183 | BCU87-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254184 | BCU87-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254185 | BCV26 | Transistores de PNP Darlington | Philips |
| 254186 | BCV26 | Transistor de PNP Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 254187 | BCV26 | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DARLINGTON DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 254188 | BCV26 | Transistores de Darlington - transistor de Darlington del silicio de PNP para los usos generales del AF | Infineon |
| 254189 | BCV26 | Transistor De Darlington Del Silicio de PNP | Infineon |
| 254190 | BCV26 | Transistores de Darlington del silicio de PNP (para la alta corriente de colector de los usos generales del AF) | Siemens |
| 254191 | BCV26 | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 254192 | BCV26 | Transistores PNP Darlington | NXP Semiconductors |
| 254193 | BCV26_L99Z | Transistor de PNP Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 254194 | BCV27 | Transistores de NPN Darlington | Philips |
| 254195 | BCV27 | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 254196 | BCV27 | Transistor de NPN Darlington | Zetex Semiconductors |
| 254197 | BCV27 | Transistores de Darlington - transistor de Darlington del silicio de NPN para los usos generales del AF | Infineon |
| 254198 | BCV27 | Transistor de Darlington del silicio de NPN para... | Infineon |
| 254199 | BCV27 | Transistores de Darlington del silicio de NPN (para la alta corriente de colector de los usos generales del AF) | Siemens |
| 254200 | BCV27 | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
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