| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 258561 | BDX69C | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE NPN DARLINGTON | SemeLAB |
| 258562 | BDX77 | Usos medios de la conmutación y del amplificador de laenergía | Continental Device India Limited |
| 258563 | BDX77 | Usos medios de la conmutación y del amplificador de laenergía | Continental Device India Limited |
| 258564 | BDX77 | Usos medios de la conmutación y del amplificador de laenergía | Continental Device India Limited |
| 258565 | BDX78 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE PNP | Continental Device India Limited |
| 258566 | BDX78 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE PNP | Continental Device India Limited |
| 258567 | BDX78 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE PNP | Continental Device India Limited |
| 258568 | BDX83 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 258569 | BDX83 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 258570 | BDX83 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 258571 | BDX84C | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 258572 | BDX85 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258573 | BDX85A | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258574 | BDX85B | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258575 | BDX85C | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258576 | BDX86 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258577 | BDX86A | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258578 | BDX86B | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258579 | BDX86C | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258580 | BDX87 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258581 | BDX87A | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258582 | BDX87B | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258583 | BDX87B | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 258584 | BDX87C | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258585 | BDX87C | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 258586 | BDX88 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258587 | BDX88 | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 258588 | BDX88A | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258589 | BDX88B | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258590 | BDX88B | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
| 258591 | BDX88C | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 258592 | BDX92 | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 258593 | BDX93 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 258594 | BDX96 | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 258595 | BDY12 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 258596 | BDY12-10 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 258597 | BDY12-16 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 258598 | BDY12-6 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 258599 | BDY13 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
| 258600 | BDY13-10 | Silicio Trnasistors Planar de NPN | Siemens |
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