| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 258801 | BF-U812RD | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258802 | BF-U813RD | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258803 | BF-U813RD | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258804 | BF-U814RD | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258805 | BF-U814RD | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258806 | BF-U815RD | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258807 | BF-U815RD | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258808 | BF-U815RE | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258809 | BF-U815RE | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258810 | BF-U816RD | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258811 | BF-U816RD | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258812 | BF-U81DRD | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258813 | BF-U81DRD | SOLAS EXHIBICIONES DE LED DEL DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258814 | BF1005 | Rf-rf-mosfet - integrado por completo predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258815 | BF1005 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal estabilizada integrada 5V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
| 258816 | BF1005R | Rf-rf-mosfet - integrado por completo predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=24mS, Gps=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258817 | BF1005S | Rf-rf-mosfet - integrado por completo predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=30mS, Gp=20dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258818 | BF1005S | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal estabilizada integrada 5V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
| 258819 | BF1005SR | Rf-rf-mosfet - integrado por completo predisponiendo la red, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258820 | BF1005SW | Tetrodo del Mosfet Del N-Canal Del Silicio | Infineon |
| 258821 | BF1005W | Tetrodo del Mosfet Del N-Canal Del Silicio | Infineon |
| 258822 | BF1009 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio para... | Infineon |
| 258823 | BF1009 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, el alto aumento controló etapas de la entrada hasta red diagonal estabilizada integrada V del voltaje de funcionamiento del 1GHz 9 | Siemens |
| 258824 | BF1009S | Rf-rf-mosfet - integrado por completo predisponiendo la red, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet a pedido | Infineon |
| 258825 | BF1009S | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio para... | Infineon |
| 258826 | BF1009S | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal integrada 9V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
| 258827 | BF1009SR | Rf-rf-mosfet - integrado por completo predisponiendo la red, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet a pedido | Infineon |
| 258828 | BF1012 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, el alto aumento controló etapas de la entrada hasta red diagonal estabilizada integrada 12V del voltaje de funcionamiento del 1GHz | Siemens |
| 258829 | BF1012S | Tetrodo del Mosfet Del N-Canal Del Silicio | Infineon |
| 258830 | BF1012S | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal estabilizada integrada 5V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
| 258831 | BF1012W | TETRODO del MOSFET del N-canal del SILICIO (para la entrada de poco ruido, ganar-controlada efectúa hasta 1 gigahertz) | Siemens |
| 258832 | BF1100 | MOS-FETs Dual-gate | Philips |
| 258833 | BF1100 | Canal N MOSFET de doble puerta | NXP Semiconductors |
| 258834 | BF1100R | MOS-FETs Dual-gate | Philips |
| 258835 | BF1100WR | Mos-fet Dual-gate | Philips |
| 258836 | BF1100WR | Canal N MOSFET de doble puerta | NXP Semiconductors |
| 258837 | BF1101 | mOS-FETs dual-gate del N-canal | Philips |
| 258838 | BF1101R | mOS-FETs dual-gate del N-canal | Philips |
| 258839 | BF1101WR | mOS-FETs dual-gate del N-canal | Philips |
| 258840 | BF1101WR | Canal N MOSFET de doble puerta | NXP Semiconductors |
| | | |
