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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
418681FMC2122C6-03Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De KuFujitsu Microelectronics
418682FMC2122LN-03Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De KuFujitsu Microelectronics
418683FMC2122LN-03Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De KuFujitsu Microelectronics
418684FMC2122P1-02Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De KuFujitsu Microelectronics
418685FMC2122P1-02Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De KuFujitsu Microelectronics
418686FMC2223C6-03Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De KuFujitsu Microelectronics
418687FMC2223C6-03Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De KuFujitsu Microelectronics
418688FMC2223LN-03Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De KuFujitsu Microelectronics
418689FMC2223LN-03Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De KuFujitsu Microelectronics
418690FMC2223P1-02Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De KuFujitsu Microelectronics
418691FMC2223P1-02Módulos Del GaAs De la Energía De la K-Marca de fa'brica De KuFujitsu Microelectronics
418692FMC2AGerencia de la energía (transistor digital dual)ROHM
418693FMC2AGerencia de la energía (transistor digital dual)ROHM
418694FMC6AGerencia de la energía (transistores digitales duales)ROHM
418695FMC6G10US60IGBTFairchild Semiconductor
418696FMC6G15US60IGBTFairchild Semiconductor
418697FMC6G20US60IGBTFairchild Semiconductor
418698FMC6G30US60IGBTFairchild Semiconductor
418699FMC6G50US60IGBTFairchild Semiconductor



418700FMC7G10US60IGBTFairchild Semiconductor
418701FMC7G15US60IGBTFairchild Semiconductor
418702FMC7G20US60IGBTFairchild Semiconductor
418703FMC7G30US60IGBTFairchild Semiconductor
418704FMC7G50US60IGBTFairchild Semiconductor
418705FMD-G26SDiodos de rectificador de la Ultra-Ra'pido-Recuperacio'n (600 a 1000V)Sanken
418706FMD1SEl CRISTAL monofásico APACIGUÓ EL MINI PUENTE RECTIFICADOR RÁPIDO del MONTAJE de la SUPERFICIE de la RECUPERACIÓN (del VOLTAJE de CORRIENTE de la GAMA 50 a 1000 voltios 0,8 amperios)Rectron Semiconductor
418707FMD21-05QCMódulos del MosfetIXYS
418708FMD2SEl CRISTAL monofásico APACIGUÓ EL MINI PUENTE RECTIFICADOR RÁPIDO del MONTAJE de la SUPERFICIE de la RECUPERACIÓN (del VOLTAJE de CORRIENTE de la GAMA 50 a 1000 voltios 0,8 amperios)Rectron Semiconductor
418709FMD3SEl CRISTAL monofásico APACIGUÓ EL MINI PUENTE RECTIFICADOR RÁPIDO del MONTAJE de la SUPERFICIE de la RECUPERACIÓN (del VOLTAJE de CORRIENTE de la GAMA 50 a 1000 voltios 0,8 amperios)Rectron Semiconductor
418710FMD40-06KCMódulos del MosfetIXYS
418711FMD4SEl CRISTAL monofásico APACIGUÓ EL MINI PUENTE RECTIFICADOR RÁPIDO del MONTAJE de la SUPERFICIE de la RECUPERACIÓN (del VOLTAJE de CORRIENTE de la GAMA 50 a 1000 voltios 0,8 amperios)Rectron Semiconductor
418712FMD5SEl CRISTAL monofásico APACIGUÓ EL MINI PUENTE RECTIFICADOR RÁPIDO del MONTAJE de la SUPERFICIE de la RECUPERACIÓN (del VOLTAJE de CORRIENTE de la GAMA 50 a 1000 voltios 0,8 amperios)Rectron Semiconductor
418713FMD6SEl CRISTAL monofásico APACIGUÓ EL MINI PUENTE RECTIFICADOR RÁPIDO del MONTAJE de la SUPERFICIE de la RECUPERACIÓN (del VOLTAJE de CORRIENTE de la GAMA 50 a 1000 voltios 0,8 amperios)Rectron Semiconductor
418714FMD7SEl CRISTAL monofásico APACIGUÓ EL MINI PUENTE RECTIFICADOR RÁPIDO del MONTAJE de la SUPERFICIE de la RECUPERACIÓN (del VOLTAJE de CORRIENTE de la GAMA 50 a 1000 voltios 0,8 amperios)Rectron Semiconductor
418715FMD80-0045PSMódulos del MosfetIXYS
418716FMD80-0045PSInterruptor con el diodo del MOSFET y de Schottky de la energía del fosoIXYS Corporation
418717FME-2104Diodo De Barrera De Schottky - 40VSanken
418718FME-2106Diodo De Barrera De Schottky - 60VSanken
418719FME-220ADiodo De Barrera De Schottky - 90V/100VSanken
418720FME-230ADiodo De Barrera De Schottky - 90V/100VSanken
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