| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 44161 | 2N1893 | Propósito General de 0.800W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44162 | 2N1893 | Silicon Power Media NPN transistor planar. | General Electric Solid State |
| 44163 | 2N1893 | Chip: 7.0V; Agrimensores 4500; Polaridad NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44164 | 2N1893A | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44165 | 2N1893S | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44166 | 2N1893S | Chip: 7.0V; Agrimensores 4500; Polaridad NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44167 | 2N1893UB | Polaridad NPN De la Geometría 4500 Del Tipo 2C1893 De la Viruta | Semicoa Semiconductor |
| 44168 | 2N1909 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44169 | 2N1909 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
| 44170 | 2N1909 | V (RRM / DRM): 25V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44171 | 2N1910 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44172 | 2N1910 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
| 44173 | 2N1910 | V (RRM / DRM): 50V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44174 | 2N1911 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44175 | 2N1911 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
| 44176 | 2N1911 | V (RRM / DRM): 100V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44177 | 2N1912 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44178 | 2N1912 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
| 44179 | 2N1912 | V (RRM / DRM): 150V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44180 | 2N1913 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44181 | 2N1913 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
| 44182 | 2N1913 | V (RRM / DRM): 200V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44183 | 2N1914 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44184 | 2N1914 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
| 44185 | 2N1914 | V (RRM / DRM): 250V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44186 | 2N1915 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44187 | 2N1915 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
| 44188 | 2N1915 | V (RRM / DRM): 300 V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44189 | 2N1916 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44190 | 2N1916 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
| 44191 | 2N1916 | V (RRM / DRM): 400V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44192 | 2N1973 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44193 | 2N1974 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44194 | 2N1975 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44195 | 2N1983 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44196 | 2N1984 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44197 | 2N1985 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44198 | 2N1986 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44199 | 2N1987 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44200 | 2N1988 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
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