| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 46081 | 2N4104 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 46082 | 2N4104 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 46083 | 2N4113 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 46084 | 2N4113 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 46085 | 2N4114 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 46086 | 2N4117 | Amplificador De los Fines generales Del N-Canal JFET | Calogic |
| 46087 | 2N4117 | N-Canal unión de silicio de efecto de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46088 | 2N4117 | Ultra-alta impedancia de entrada de canal N de JFET | Linear Systems |
| 46089 | 2N4117A | Salida Ultra Baja, N-Canal JFETs | Vishay |
| 46090 | 2N4117A | Amplificador De los Fines generales Del N-Canal JFET | Calogic |
| 46091 | 2N4117A | Amplificador Ultra Alto Del N-Canal JFET De la Impedancia De la Entrada | Linear Systems |
| 46092 | 2N4117A | N-Canal unión de silicio de efecto de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46093 | 2N4118 | Amplificador De los Fines generales Del N-Canal JFET | Calogic |
| 46094 | 2N4118 | N-canal Ultraalto JFET de la IMPEDANCIA de la ENTRADA | Linear Systems |
| 46095 | 2N4118 | N-Canal unión de silicio de efecto de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46096 | 2N4118A | Salida Ultra Baja, N-Canal JFETs | Vishay |
| 46097 | 2N4118A | Amplificador De los Fines generales Del N-Canal JFET | Calogic |
| 46098 | 2N4118A | Amplificador Ultra Alto Del N-Canal JFET De la Impedancia De la Entrada | Linear Systems |
| 46099 | 2N4118A | N-Canal unión de silicio de efecto de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46100 | 2N4119 | Amplificador De los Fines generales Del N-Canal JFET | Calogic |
| 46101 | 2N4119 | N-canal Ultraalto JFET de la IMPEDANCIA de la ENTRADA | Linear Systems |
| 46102 | 2N4119 | N-Canal unión de silicio de efecto de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46103 | 2N4119A | Salida Ultra Baja, N-Canal JFETs | Vishay |
| 46104 | 2N4119A | Amplificador De los Fines generales Del N-Canal JFET | Calogic |
| 46105 | 2N4119A | Amplificador Ultra Alto Del N-Canal JFET De la Impedancia De la Entrada | Linear Systems |
| 46106 | 2N4119A | N-Canal unión de silicio de efecto de campo transistor | InterFET Corporation |
| 46107 | 2N4123 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46108 | 2N4123 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 46109 | 2N4123 | Transistor De fines generales 625mW Del Silicio de NPN | Micro Commercial Components |
| 46110 | 2N4123 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 46111 | 2N4123 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 46112 | 2N4123 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
| 46113 | 2N4123 | Planar epitaxial transistor NPN de silicio pasivado. 30V, 200mA. | General Electric Solid State |
| 46114 | 2N4123 | Ic = 200mA, Vce = 1.0V transistor | MCC |
| 46115 | 2N4123 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: 30V = VCEO. Tensión colector-base: 40V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
| 46116 | 2N4123-D | Silicio De fines generales De los Transistores NPN | ON Semiconductor |
| 46117 | 2N4123BU | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46118 | 2N4123RLRA | Transistores para aplicaciones generales Propósito - NPN | ON Semiconductor |
| 46119 | 2N4123RLRM | Transistores para aplicaciones generales Propósito - NPN | ON Semiconductor |
| 46120 | 2N4123TA | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
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