Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
48361 | 2N6111 | TRANSISTORES DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO PNP | ST Microelectronics |
48362 | 2N6111 | TRANSISTORES DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO PNP | SGS Thomson Microelectronics |
48363 | 2N6111 | TRANSISTORES DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO PNP | SGS Thomson Microelectronics |
48364 | 2N6111 | ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
48365 | 2N6111 | Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
48366 | 2N6111 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48367 | 2N6111 | Energía 7A 30V PNP Discreto | ON Semiconductor |
48368 | 2N6111 | 40.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. VCEO 30V, 7.000A Ic, 30-150 hFE. | Continental Device India Limited |
48369 | 2N6111 | Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -40V. | General Electric Solid State |
48370 | 2N6116 | El silicio transistor unijuction programable. | Motorola |
48371 | 2N6117 | El silicio transistor unijuction programable. | Motorola |
48372 | 2N6118 | El silicio transistor unijuction programable. | Motorola |
48373 | 2N6121 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | MOSPEC Semiconductor |
48374 | 2N6121 | Energía media linear y usos de la conmutación | Boca Semiconductor Corporation |
48375 | 2N6121 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48376 | 2N6121 | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 45V VCEO, 4.000A Ic, 10 hFE. | Continental Device India Limited |
48377 | 2N6121 | Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 45V. | General Electric Solid State |
48378 | 2N6122 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | MOSPEC Semiconductor |
48379 | 2N6122 | Energía media linear y usos de la conmutación | Boca Semiconductor Corporation |
48380 | 2N6122 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48381 | 2N6122 | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25-100 hFE. | Continental Device India Limited |
48382 | 2N6122 | Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 60V. | General Electric Solid State |
48383 | 2N6123 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | MOSPEC Semiconductor |
48384 | 2N6123 | Energía media linear y usos de la conmutación | Boca Semiconductor Corporation |
48385 | 2N6123 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48386 | 2N6123 | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 4.000A Ic, 20 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
48387 | 2N6123 | Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 80V. | General Electric Solid State |
48388 | 2N6124 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | MOSPEC Semiconductor |
48389 | 2N6124 | Energía media linear y usos de la conmutación | Boca Semiconductor Corporation |
48390 | 2N6124 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48391 | 2N6124 | 40.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 4.000A Ic, 25-100 hFE. | Continental Device India Limited |
48392 | 2N6124 | Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -45V. | General Electric Solid State |
48393 | 2N6125 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | MOSPEC Semiconductor |
48394 | 2N6125 | Energía media linear y usos de la conmutación | Boca Semiconductor Corporation |
48395 | 2N6125 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48396 | 2N6125 | 40.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25-100 hFE. | Continental Device India Limited |
48397 | 2N6125 | Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -60V. | General Electric Solid State |
48398 | 2N6126 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | MOSPEC Semiconductor |
48399 | 2N6126 | Energía media linear y usos de la conmutación | Boca Semiconductor Corporation |
48400 | 2N6126 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
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