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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
492412N6730Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
492422N6730Propósito 0.850W general PNP Transistor Plástico con plomo. 100V VCEO, 1.000A Ic, 80 - hFEContinental Device India Limited
492432N6730PNP SILICON PLANAR TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOSDiodes
492442N6731TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE NPNZetex Semiconductors
492452N6731Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
492462N6731NPN SILICON PLANAR MEDIO TRANSISTOR DE ENERGÍADiodes
492472N6732TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE PNPZetex Semiconductors
492482N6732Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
492492N6732PNP SILICON PLANAR MEDIO TRANSISTOR DE ENERGÍADiodes
492502N6733Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
492512N6734Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
492522N6735Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
492532N6735Transistores De EnergíaCentral Semiconductor
492542N6737Transistores De EnergíaCentral Semiconductor
492552N6737Transistores De EnergíaCentral Semiconductor
492562N6738ENERGÍA TRANSISTORS(8.0A, 100w)MOSPEC Semiconductor
492572N6738TRANSISTORES DE ENERGÍA DE LA SERIE NPN DE SWITCHMODEBoca Semiconductor Corporation
492582N6739ENERGÍA TRANSISTORS(8.0A, 100w)MOSPEC Semiconductor
492592N6739TRANSISTORES DE ENERGÍA DE LA SERIE NPN DE SWITCHMODEBoca Semiconductor Corporation



492602N6740ENERGÍA TRANSISTORS(8.0A, 100w)MOSPEC Semiconductor
492612N6740TRANSISTORES DE ENERGÍA DE LA SERIE NPN DE SWITCHMODEBoca Semiconductor Corporation
492622N6740100.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 8.000A Ic, 10-40 hFE.Continental Device India Limited
492632N6751Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
492642N67515 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
492652N67525 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
492662N6753Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
492672N6753Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
492682N67535 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
492692N6754Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
492702N67545 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.General Electric Solid State
492712N6755Energía Del N-Canal A MOSFETs/14/60 A/100 VFairchild Semiconductor
492722N6755N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 12A.General Electric Solid State
492732N6756100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âaInternational Rectifier
492742N6756Energía Del N-Canal A MOSFETs/14/60 A/100 VFairchild Semiconductor
492752N6756N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 14A.General Electric Solid State
492762N6757MOSFETs/9A/150V/200V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
492772N6757N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A.General Electric Solid State
492782N6758200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âaInternational Rectifier
492792N6758MOSFETs/9A/150V/200V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
492802N6758N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a.General Electric Solid State
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