Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
49241 | 2N6730 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
49242 | 2N6730 | Propósito 0.850W general PNP Transistor Plástico con plomo. 100V VCEO, 1.000A Ic, 80 - hFE | Continental Device India Limited |
49243 | 2N6730 | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS | Diodes |
49244 | 2N6731 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Zetex Semiconductors |
49245 | 2N6731 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
49246 | 2N6731 | NPN SILICON PLANAR MEDIO TRANSISTOR DE ENERGÍA | Diodes |
49247 | 2N6732 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Zetex Semiconductors |
49248 | 2N6732 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
49249 | 2N6732 | PNP SILICON PLANAR MEDIO TRANSISTOR DE ENERGÍA | Diodes |
49250 | 2N6733 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
49251 | 2N6734 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
49252 | 2N6735 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
49253 | 2N6735 | Transistores De Energía | Central Semiconductor |
49254 | 2N6737 | Transistores De Energía | Central Semiconductor |
49255 | 2N6737 | Transistores De Energía | Central Semiconductor |
49256 | 2N6738 | ENERGÍA TRANSISTORS(8.0A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
49257 | 2N6738 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DE LA SERIE NPN DE SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
49258 | 2N6739 | ENERGÍA TRANSISTORS(8.0A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
49259 | 2N6739 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DE LA SERIE NPN DE SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
49260 | 2N6740 | ENERGÍA TRANSISTORS(8.0A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
49261 | 2N6740 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DE LA SERIE NPN DE SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
49262 | 2N6740 | 100.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 8.000A Ic, 10-40 hFE. | Continental Device India Limited |
49263 | 2N6751 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
49264 | 2N6751 | 5 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN. | General Electric Solid State |
49265 | 2N6752 | 5 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN. | General Electric Solid State |
49266 | 2N6753 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
49267 | 2N6753 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
49268 | 2N6753 | 5 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN. | General Electric Solid State |
49269 | 2N6754 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
49270 | 2N6754 | 5 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN. | General Electric Solid State |
49271 | 2N6755 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/14/60 A/100 V | Fairchild Semiconductor |
49272 | 2N6755 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
49273 | 2N6756 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
49274 | 2N6756 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/14/60 A/100 V | Fairchild Semiconductor |
49275 | 2N6756 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 14A. | General Electric Solid State |
49276 | 2N6757 | MOSFETs/9A/150V/200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
49277 | 2N6757 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
49278 | 2N6758 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
49279 | 2N6758 | MOSFETs/9A/150V/200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
49280 | 2N6758 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
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