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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
493212N6790Energía De 3.Ä/De 200V/0,800 Ohmios/N-CanalFairchild Semiconductor
493222N6792400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äfInternational Rectifier
493232N6794500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äfInternational Rectifier
493242N6794Mosfet de la ENERGÍA Del N-canalSemeLAB
493252N6796Å, 100V, 0,180 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
493262N6796100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äfInternational Rectifier
493272N6796TRANSISTOR N - CANAL Del Fet De TMOSSemeLAB
493282N6796Mosfet De la Energía De Å/De 100V/0,180 Ohmios/N-CanalIntersil
493292N6796N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. 8,0 A, 100 V.General Electric Solid State
493302N6796N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFETOmnirel
493312N6796LCC4Mosfet de la ENERGÍA Del N-canalSemeLAB
493322N6798200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äfInternational Rectifier
493332N6798TRANSISTOR del MODO del REALCE Del N-canalSemeLAB
493342N6798N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFETOmnirel
493352N6800400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äfInternational Rectifier
493362N6800Mosfet de la ENERGÍA Del N-canalSemeLAB
493372N6800N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFETOmnirel
493382N6802500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äfInternational Rectifier



493392N6802N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFETOmnirel
493402N6804-100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âaInternational Rectifier
493412N6806-200V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âaInternational Rectifier
493422N681SCR del control de la fase de 25V 1Ã en un paquete de To-20åa (To-48)International Rectifier
493432N68125 y 35 amperios RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
493442N681SCR Plomado Del TiristorCentral Semiconductor
493452N68125A rectificador controlado de silicio. Vrsom 35V.General Electric Solid State
493462N681ASCR Plomado Del TiristorCentral Semiconductor
493472N682SCR del control de la fase de 50V 1Ã en un paquete de To-20åa (To-48)International Rectifier
493482N68225 y 35 amperios RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
493492N682SCR Plomado Del TiristorCentral Semiconductor
493502N68225A rectificador controlado de silicio. Vrsom 75V.General Electric Solid State
493512N682ASCR Plomado Del TiristorCentral Semiconductor
493522N683SCR del control de la fase de 100V 1Ã en un paquete de To-20åa (To-48)International Rectifier
493532N68325 y 35 amperios RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
493542N683SCR Plomado Del TiristorCentral Semiconductor
493552N68325A rectificador controlado de silicio. Vrsom 150V.General Electric Solid State
493562N683ASCR Plomado Del TiristorCentral Semiconductor
493572N684SCR del control de la fase de 150V 1Ã en un paquete de To-20åa (To-48)International Rectifier
493582N684SCR Plomado Del TiristorCentral Semiconductor
493592N68425A rectificador controlado de silicio. Vrsom 225V.General Electric Solid State
493602N6845-100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äfInternational Rectifier
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