Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
49321 | 2N6790 | Energía De 3.Ä/De 200V/0,800 Ohmios/N-Canal | Fairchild Semiconductor |
49322 | 2N6792 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
49323 | 2N6794 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
49324 | 2N6794 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
49325 | 2N6796 | Å, 100V, 0,180 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
49326 | 2N6796 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
49327 | 2N6796 | TRANSISTOR N - CANAL Del Fet De TMOS | SemeLAB |
49328 | 2N6796 | Mosfet De la Energía De Å/De 100V/0,180 Ohmios/N-Canal | Intersil |
49329 | 2N6796 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. 8,0 A, 100 V. | General Electric Solid State |
49330 | 2N6796 | N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFET | Omnirel |
49331 | 2N6796LCC4 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
49332 | 2N6798 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
49333 | 2N6798 | TRANSISTOR del MODO del REALCE Del N-canal | SemeLAB |
49334 | 2N6798 | N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFET | Omnirel |
49335 | 2N6800 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
49336 | 2N6800 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
49337 | 2N6800 | N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFET | Omnirel |
49338 | 2N6802 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
49339 | 2N6802 | N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFET | Omnirel |
49340 | 2N6804 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
49341 | 2N6806 | -200V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
49342 | 2N681 | SCR del control de la fase de 25V 1Ã en un paquete de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
49343 | 2N681 | 25 y 35 amperios RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
49344 | 2N681 | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
49345 | 2N681 | 25A rectificador controlado de silicio. Vrsom 35V. | General Electric Solid State |
49346 | 2N681A | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
49347 | 2N682 | SCR del control de la fase de 50V 1Ã en un paquete de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
49348 | 2N682 | 25 y 35 amperios RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
49349 | 2N682 | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
49350 | 2N682 | 25A rectificador controlado de silicio. Vrsom 75V. | General Electric Solid State |
49351 | 2N682A | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
49352 | 2N683 | SCR del control de la fase de 100V 1Ã en un paquete de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
49353 | 2N683 | 25 y 35 amperios RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
49354 | 2N683 | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
49355 | 2N683 | 25A rectificador controlado de silicio. Vrsom 150V. | General Electric Solid State |
49356 | 2N683A | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
49357 | 2N684 | SCR del control de la fase de 150V 1Ã en un paquete de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
49358 | 2N684 | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
49359 | 2N684 | 25A rectificador controlado de silicio. Vrsom 225V. | General Electric Solid State |
49360 | 2N6845 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
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