| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 49561 | 2N7002E-13-F | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49562 | 2N7002E-7-F | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49563 | 2N7002F | Fet Del Nivel De la Lógica De TrenchMOS(tm) | Philips |
| 49564 | 2N7002F | N-FET de canal de nivel lógico TrenchMOS | NXP Semiconductors |
| 49565 | 2N7002K | Mosfet Del N-Canal 60-V (D-s) | Vishay |
| 49566 | 2N7002K | 2N7002K; Fet del nivel de la lógica de Trenchmos (tm) | Philips |
| 49567 | 2N7002K | Señal pequeña MOSFET 60V 380mA 1.6 Ohm Single N-Channel SOT-23 | ON Semiconductor |
| 49568 | 2N7002K | N-Modo de canal Mejora transistor de efecto campo | Fairchild Semiconductor |
| 49569 | 2N7002K | TrenchMOS de canal N de nivel intermedio FET | NXP Semiconductors |
| 49570 | 2N7002K | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49571 | 2N7002K-13 | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49572 | 2N7002K-7 | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49573 | 2N7002K-HF | Libre de halógenos MOSFET, V DS = 60V, me d = 0.115A, P D = 225MW | Comchip Technology |
| 49574 | 2N7002KW | N-Modo de canal Mejora transistor de efecto campo | Fairchild Semiconductor |
| 49575 | 2N7002L | Mosfet pequeño de la señal 115 mA, 60 voltios | ON Semiconductor |
| 49576 | 2N7002LT1 | MAmps pequeños del MOSFET 115 de la señal, 60 voltios | Leshan Radio Company |
| 49577 | 2N7002LT1 | EL CASO 318-08, LABRA 21 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 49578 | 2N7002LT1 | Mosfet pequeño de la señal 115 mA, 60 voltios | ON Semiconductor |
| 49579 | 2N7002LT1 | REALCE Del N-canal | TRSYS |
| 49580 | 2N7002LT1 | 60 V, la mejora de canal N | TRANSYS Electronics Limited |
| 49581 | 2N7002LT1-D | MAmps pequeños del MOSFET 115 de la señal, 60 voltios de N-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 49582 | 2N7002LT1G | Mosfet pequeño de la señal 115 mA, 60 voltios | ON Semiconductor |
| 49583 | 2N7002LT3 | MAmps pequeños del MOSFET 115 de la señal, 60 voltios | Leshan Radio Company |
| 49584 | 2N7002LT3 | Mosfet pequeño de la señal 115 mA, 60 voltios | ON Semiconductor |
| 49585 | 2N7002LT3G | Mosfet pequeño de la señal 115 mA, 60 voltios | ON Semiconductor |
| 49586 | 2N7002MTF | Mosfet Pequeño De la Señal Del N-canal | Fairchild Semiconductor |
| 49587 | 2N7002P | 60 V, 360 mA de canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49588 | 2N7002PS | 60 V, 320 mA de doble canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49589 | 2N7002PT | 60 V, 310 mA de canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49590 | 2N7002PV | 60 V, 350 mA de doble canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49591 | 2N7002PW | 60 V, 310 mA de canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 49592 | 2N7002T | MOSFETS | Diodes |
| 49593 | 2N7002T | N-Modo de canal Mejora transistor de efecto campo | Fairchild Semiconductor |
| 49594 | 2N7002T-7-F | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 49595 | 2N7002V | TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DUAL DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNEL | Diodes |
| 49596 | 2N7002V | TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DUAL DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNEL | Diodes |
| 49597 | 2N7002V | N-Modo de canal Mejora transistor de efecto campo | Fairchild Semiconductor |
| 49598 | 2N7002V-7 | TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DUAL DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNEL | Diodes |
| 49599 | 2N7002V-7 | TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DUAL DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNEL | Diodes |
| 49600 | 2N7002V/VA | MOSFETS | Diodes |
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