Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
51521 | 2SA928 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
51522 | 2SA928A | Transistor PNP para el amplificador de potencia de audio, tensión de colector-emisor = 30V, corriente de colector = 2A | Unisonic Technologies |
51523 | 2SA929 | USOS MUY BAJOS DEL AMPERIO DEL RUIDO | SANYO |
51524 | 2SA929 | USOS MUY BAJOS DEL AMPERIO DEL RUIDO | SANYO |
51525 | 2SA930 | USOS MUY BAJOS DEL AMPERIO DEL RUIDO | SANYO |
51526 | 2SA930 | USOS MUY BAJOS DEL AMPERIO DEL RUIDO | SANYO |
51527 | 2SA933 | TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | ROHM |
51528 | 2SA933 | TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | ROHM |
51529 | 2SA933AS | > de los transistores; Señal pequeña Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
51530 | 2SA933S | TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | ROHM |
51531 | 2SA933S | TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | ROHM |
51532 | 2SA934 | TRANSISTORES A 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
51533 | 2SA934 | TRANSISTOR GRABADO ENERGÍA DEL PAQUETE 1.2W DISEÑADO PARA EL USO CON UNA COLOCACIÓN AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
51534 | 2SA934 | TRANSISTORES A 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
51535 | 2SA934 | TRANSISTOR GRABADO ENERGÍA DEL PAQUETE 1.2W DISEÑADO PARA EL USO CON UNA COLOCACIÓN AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
51536 | 2SA935 | Transistores Pla'stico-Encapsulados To-92l | TRANSYS Electronics Limited |
51537 | 2SA937 | TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | ROHM |
51538 | 2SA937 | TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | ROHM |
51539 | 2SA937M | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | ROHM |
51540 | 2SA937M | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | ROHM |
51541 | 2SA940 | ENERGÍA TRANSISTORS(1.Ä, 150v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
51542 | 2SA940 | DESVIACIÓN VERTICAL DEL AMPLIFICADOR EPITAXIAL DEL SILICIO TRANSISTOR(POWER DE PNP HECHA SALIR) | Wing Shing Computer Components |
51543 | 2SA940A | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DIFUNDIDO TRIPLE DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) Y USOS VERTICALES DE LA SALIDA. | TOSHIBA |
51544 | 2SA941 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP TRANSISTOR(PCT) | Unknow |
51545 | 2SA941 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP TRANSISTOR(PCT) | Unknow |
51546 | 2SA941 | 120V PNP transistor de silicio para aplicaciones de bajo ruido del amplificador de audio | TOSHIBA |
51547 | 2SA942 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP TRANSISTOR(PCT) | Unknow |
51548 | 2SA942 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP TRANSISTOR(PCT) | Unknow |
51549 | 2SA942 | 90V PNP transistor de silicio para aplicaciones de bajo ruido del amplificador de audio | TOSHIBA |
51550 | 2SA949 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR. AMPLIFICADOR AUDIO DE LA ETAPA DE CONDUCTOR Y USOS DE LA CONMUTACIÓN DEL ALTO VOLTAJE | TOSHIBA |
51551 | 2SA950 | Usos audio epitaxial del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
51552 | 2SA952 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | NEC |
51553 | 2SA952 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | NEC |
51554 | 2SA953 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | NEC |
51555 | 2SA953 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | NEC |
51556 | 2SA954 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | NEC |
51557 | 2SA954 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | NEC |
51558 | 2SA954 | Amplificador de frecuencia de audio. Tensión colector-base: VCBO = -80V. Tensión de colector-emisor: VCEO = -80V. Tensión emisor-base Vebo = 5V. Disipación del colector: Pc (máx) = 600mW. | USHA India LTD |
51559 | 2SA956 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Unknow |
51560 | 2SA956 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Unknow |
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