| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 52921 | 2SC1621 | MINI MOLDE DE LA CONMUTACIÓN PNP DEL TRANSISTOR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO | NEC |
| 52922 | 2SC1621-L | Transistor del silicio | NEC |
| 52923 | 2SC1621-T1B | Transistor del silicio | NEC |
| 52924 | 2SC1621-T2B | Transistor del silicio | NEC |
| 52925 | 2SC1622 | MOLDE DEL AUMENTO DE LA FRECUENCIA AUDIO MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL TRANSISTOR EPITAXIAL ALTO DEL SILICIO | NEC |
| 52926 | 2SC1622A | MOLDE DEL AUMENTO DE LA FRECUENCIA AUDIO MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL TRANSISTOR EPITAXIAL ALTO DEL SILICIO | NEC |
| 52927 | 2SC1622A-L | Silicio high-gain de baja frecuencia Tr de la amplificación. | NEC |
| 52928 | 2SC1622A-T1B | Silicio high-gain de baja frecuencia Tr de la amplificación. | NEC |
| 52929 | 2SC1622A-T2B | Silicio high-gain de baja frecuencia Tr de la amplificación. | NEC |
| 52930 | 2SC1623 | MOLDE DEL AMPLIFICADOR NPN DE LA FRECUENCIA AUDIO MINI DEL TRANSISTOR EPITAXIAL DE FINES GENERALES DEL SILICIO | NEC |
| 52931 | 2SC1623-L | Transistor del silicio | NEC |
| 52932 | 2SC1623-T1B | Transistor del silicio | NEC |
| 52933 | 2SC1623-T2B | Transistor del silicio | NEC |
| 52934 | 2SC1624 | TIPO PLANAR DEL SILICIO NPN | TOSHIBA |
| 52935 | 2SC1624 | TIPO PLANAR DEL SILICIO NPN | TOSHIBA |
| 52936 | 2SC1625 | TIPO PLANAR DEL SILICIO NPN | TOSHIBA |
| 52937 | 2SC1625 | TIPO PLANAR DEL SILICIO NPN | TOSHIBA |
| 52938 | 2SC1626 | TRANSISTORES DE ENERGÍA EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 52939 | 2SC1627 | Usos epitaxial del amplificador del voltaje de los usos del amplificador de la etapa de conductor del tipo del silicio NPN del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 52940 | 2SC1627A | USOS EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE LA ETAPA DE CONDUCTOR DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT). USOS DEL AMPLIFICADOR DEL VOLTAJE | TOSHIBA |
| 52941 | 2SC1645 | LOS 2SC1545M | ROHM |
| 52942 | 2SC1645 | LOS 2SC1545M | ROHM |
| 52943 | 2SC1645S | > de los transistores; Señal pequeña Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 52944 | 2SC1651S | > de los transistores; Señal pequeña Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 52945 | 2SC1652 | Transistores Medios Del Silicio De Amp. Epitaxial Planar NPN De la Energía | ROHM |
| 52946 | 2SC1653 | IMPULSIÓN, MINI MOLDE del TUBO de EXHIBICIÓN de la CONMUTACIÓN NPN del TRANSISTOR EPITAXIAL de alto voltaje del SILICIO | NEC |
| 52947 | 2SC1653-L | Transistor del silicio | NEC |
| 52948 | 2SC1653-T1B | Transistor del silicio | NEC |
| 52949 | 2SC1653-T2B | Transistor del silicio | NEC |
| 52950 | 2SC1654 | IMPULSIÓN, MINI MOLDE del TUBO de EXHIBICIÓN de la CONMUTACIÓN NPN del TRANSISTOR EPITAXIAL de alto voltaje del SILICIO | NEC |
| 52951 | 2SC1654-L | Transistor del silicio | NEC |
| 52952 | 2SC1654-T1B | Transistor del silicio | NEC |
| 52953 | 2SC1654-T2B | Transistor del silicio | NEC |
| 52954 | 2SC1672 | Amplificadores e interruptores medios de energía | Unknow |
| 52955 | 2SC1672 | Amplificadores e interruptores medios de energía | Unknow |
| 52956 | 2SC1674 | Transistores Pla'stico-Encapsulados To-92 | TRANSYS Electronics Limited |
| 52957 | 2SC1674 | Amplificador PIF TV, amplificador sintonizador FM RF, mezclador, occillator. Tensión colector-base = 30V VCBO. Tensión de colector-emisor VCEO = 20V. Tensión emisor-base Vebo = 4V. Disipación del colector PC (max) = 250 mW. Corriente d | USHA India LTD |
| 52958 | 2SC1675 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 52959 | 2SC1675 | FM / AM RF AMPLIFIER, mixer, converter, oscillator, IF. Collector-base voltaje Vcbo = 50V. Collector-emitter voltaje Vceo = 30V. Emitter-base voltaje Vebo = 5V. Collector dissipation Pc (max) = 250mW. Collector current Ic = 50mA. | USHA India LTD |
| 52960 | 2SC1678 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | TOSHIBA |
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