| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 53401 | 2SC2468 | AMPLIFICADOR DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53402 | 2SC2468 | AMPLIFICADOR DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53403 | 2SC2469 | AMPLIFICADOR DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53404 | 2SC2469 | AMPLIFICADOR DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53405 | 2SC2471 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53406 | 2SC2471 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53407 | 2SC2472 | AMPLIFICADOR DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Unknow |
| 53408 | 2SC2472 | AMPLIFICADOR DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Unknow |
| 53409 | 2SC2480 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - de alta frecuencia para los sintonizadores | Panasonic |
| 53410 | 2SC2482 | CONMUTACIÓN DE ALTO VOLTAJE DIFUNDIDA TRIPLE DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR Y AMPLIFICADOR, COLOR TV HORIZ. CONDUCTOR Y USOS DE LA SALIDA DEL CHROMA DEL COLOR TV | TOSHIBA |
| 53411 | 2SC2484 | Silicio NPN base de mesa epitaxial transistor, 80V, 5A | Panasonic |
| 53412 | 2SC2485 | TRANSISTOR BAJO DEL SILICIO EPITAXAL LESA | Panasonic |
| 53413 | 2SC2486 | TRANSISTOR BAJO DEL SILICIO EPITAXAL LESA | Panasonic |
| 53414 | 2SC2488 | MESA EPITAXIAL DEL SI NPN | Panasonic |
| 53415 | 2SC2489 | MESA EPITAXIAL DEL SI NPN | Panasonic |
| 53416 | 2SC2497 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Otros | Panasonic |
| 53417 | 2SC2497A | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Otros | Panasonic |
| 53418 | 2SC2498 | Uso Bajo Del Amplificador Del Ruido De la Venda Planar Epitaxial Del Tipo VHF~UHF Del Silicio NPN Del Transistor | TOSHIBA |
| 53419 | 2SC2500 | USOS MEDIOS DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) DEL ESTROBOSCÓPICO DE LOS USOS EPITAXIAL DEL FLASH | TOSHIBA |
| 53420 | 2SC2502 | ENERGÍA TRANSISTORS(6.0A, 400v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53421 | 2SC2504 | 100W T10V | Shindengen |
| 53422 | 2SC2510 | USOS LINEARES PLANAR EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO 2~30CMcHz SSB DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR (USO DEL VOLTAJE DE FUENTE 28CV) | TOSHIBA |
| 53423 | 2SC2512 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53424 | 2SC2512 | Triple Del Silicio NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 53425 | 2SC2517 | Transistor del silicio | NEC |
| 53426 | 2SC2517-S | Transistor del silicio | NEC |
| 53427 | 2SC2517-Z | Transistor del silicio | NEC |
| 53428 | 2SC2518 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53429 | 2SC2518 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53430 | 2SC2519 | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Panasonic |
| 53431 | 2SC2519 | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Panasonic |
| 53432 | 2SC2525 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO | Fujitsu Microelectronics |
| 53433 | 2SC2525 | TRANSISTOR (USOS DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 53434 | 2SC2526 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO | Fujitsu Microelectronics |
| 53435 | 2SC2527 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO | Fujitsu Microelectronics |
| 53436 | 2SC2527 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO | Fujitsu Microelectronics |
| 53437 | 2SC2532 | Etapa de conductor epitaxial de los usos del amplificador de la frecuencia audio del tipo del silicio NPN del transistor (proceso del PCT) para los usos de la remuneración de la temperatura de usos de la lámpara del LED | TOSHIBA |
| 53438 | 2SC2538 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53439 | 2SC2539 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53440 | 2SC2540 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
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