Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
56681 | 2SC6140 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
56682 | 2SC6142 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
56683 | 2SC633SP | 2SC634SP | SONY |
56684 | 2SC633SP | 2SC634SP | SONY |
56685 | 2SC634SP | 2SC634SP | SONY |
56686 | 2SC634SP | 2SC634SP | SONY |
56687 | 2SC641 | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO | Hitachi Semiconductor |
56688 | 2SC641 | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO | Hitachi Semiconductor |
56689 | 2SC641K | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO | Hitachi Semiconductor |
56690 | 2SC641K | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO | Hitachi Semiconductor |
56691 | 2SC6465 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE de NPN (REGULADOR de CONMUTACIÓN Y CONMUTACIÓN del ALTO VOLTAJE/USOS DE ALTA VELOCIDAD del CONVERTIDOR C.C.-C.C.) | TOSHIBA |
56692 | 2SC668SP | 2SC668SP | SANYO |
56693 | 2SC668SP | 2SC668SP | SANYO |
56694 | 2SC681 | ENERGÍA TRANSISTOR(Ã, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
56695 | 2SC681ARD | ENERGÍA TRANSISTOR(Ã, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
56696 | 2SC681AYL | ENERGÍA TRANSISTOR(Ã, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
56697 | 2SC697 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | TOSHIBA |
56698 | 2SC697 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | TOSHIBA |
56699 | 2SC697A | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | TOSHIBA |
56700 | 2SC697A | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | TOSHIBA |
56701 | 2SC7008 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
56702 | 2SC7008 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
56703 | 2SC717 | AMPLIFICADOR DEL VHF RF, MEZCLADOR, OSCILADOR | Unknow |
56704 | 2SC717 | AMPLIFICADOR DEL VHF RF, MEZCLADOR, OSCILADOR | Unknow |
56705 | 2SC730 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
56706 | 2SC732TM | TIPO EPITAXIAL DE NPN (USOS AUDIO DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO BAJO) | TOSHIBA |
56707 | 2SC741 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
56708 | 2SC752 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN TYPE(PCT DEL TRANSISTOR DE TOSHIBA) | TOSHIBA |
56709 | 2SC752(G)TM | Computadora ultra de alta velocidad epitaxial de los usos de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso del PCT), usos contrarios | TOSHIBA |
56710 | 2SC752GTM | Computadora Ultra De alta velocidad De los Usos De la Conmutación, Usos Contrarios | TOSHIBA |
56711 | 2SC752GTM | Computadora Ultra De alta velocidad De los Usos De la Conmutación, Usos Contrarios | TOSHIBA |
56712 | 2SC752TM | Computadora Ultra De alta velocidad De los Usos De la Conmutación, Usos Contrarios | TOSHIBA |
56713 | 2SC752TM | Computadora Ultra De alta velocidad De los Usos De la Conmutación, Usos Contrarios | TOSHIBA |
56714 | 2SC756A | TRANSISTORES de la ESPECIFICACIÓN, diodos | Unknow |
56715 | 2SC756A | TRANSISTORES de la ESPECIFICACIÓN, diodos | Unknow |
56716 | 2SC781 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
56717 | 2SC781 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
56718 | 2SC790 | 2SC790 | TOSHIBA |
56719 | 2SC790 | 2SC790 | TOSHIBA |
56720 | 2SC799 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
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