Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
567681 | IRF330-333 | MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567682 | IRF3305 | 55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
567683 | IRF331 | MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567684 | IRF331 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567685 | IRF331 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
567686 | IRF331 | 4,5 A y 5.5A, 350V y 400V, 1,0 y 1,5 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
567687 | IRF3315 | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
567688 | IRF3315L | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
567689 | IRF3315PBF | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
567690 | IRF3315S | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
567691 | IRF3315STRL | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
567692 | IRF3315STRR | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
567693 | IRF332 | MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567694 | IRF332 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567695 | IRF332 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. | General Electric Solid State |
567696 | IRF332 | 4,5 A y 5.5A, 350V y 400V, 1,0 y 1,5 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
567697 | IRF333 | MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567698 | IRF333 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567699 | IRF333 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. | General Electric Solid State |
567700 | IRF333 | 4,5 A y 5.5A, 350V y 400V, 1,0 y 1,5 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
567701 | IRF340 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
567702 | IRF340 | MOSFETs/10A/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567703 | IRF340 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567704 | IRF340 | 10A y 8.3A, 400V y 350V, 0.55 y 0.80 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
567705 | IRF340-343 | MOSFETs/10A/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567706 | IRF341 | MOSFETs/10A/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567707 | IRF341 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567708 | IRF3415 | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
567709 | IRF3415L | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
567710 | IRF3415LPBF | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
567711 | IRF3415PBF | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
567712 | IRF3415S | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
567713 | IRF3415SPBF | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
567714 | IRF3415STRL | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
567715 | IRF3415STRR | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
567716 | IRF341IRF342 | 10A y 8.3A, 400V y 350V, 0.55 y 0.80 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
567717 | IRF342 | MOSFETs/10A/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567718 | IRF342 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567719 | IRF343 | MOSFETs/10A/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567720 | IRF343 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
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