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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
568361IRF6623TR120V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568362IRF6633Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568363IRF6633Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568364IRF6635Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568365IRF6635Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568366IRF6636Resistencia baja y carga baja junto con la inductancia ultra baja del paquete a reducirInternational Rectifier
568367IRF6636Resistencia baja y carga baja junto con la inductancia ultra baja del paquete a reducirInternational Rectifier
568368IRF6637Mosfet De DirectFETPowerInternational Rectifier
568369IRF6637Mosfet De DirectFETPowerInternational Rectifier
568370IRF6637TR1Mosfet De DirectFETPowerInternational Rectifier
568371IRF6637TR1Mosfet De DirectFETPowerInternational Rectifier
568372IRF6644Mosfet De DirectFETPowerInternational Rectifier
568373IRF6645Calues típicos del MOSFET de la energía de DirectFET (salvo especificación de lo contrario)International Rectifier
568374IRF6645Calues típicos del MOSFET de la energía de DirectFET (salvo especificación de lo contrario)International Rectifier
568375IRF6646Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568376IRF6646Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568377IRF6655V (DSS): 100V; 8.7nC; MOSFET de potencia DirectFETInternational Rectifier
568378IRF6665MOSFET AUDIO DE DIGITALInternational Rectifier
568379IRF6678Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier



568380IRF6678Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568381IRF669120V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET con el diodo monolítico integrado de Schottky en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568382IRF7102.0A, 400V, 3,600 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
568383IRF710400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
568384IRF710Mosfet De la Energía De 2.0A/De 400V/3,600 Ohmios/N-CanalIntersil
568385IRF710-713MOSFETs/2.2Ä/350-400V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
568386IRF710120V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568387IRF7101TR20V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568388IRF710350V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568389IRF7103(N)50V escogen el MOSFET en doble canal de la energía de HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568390IRF7103Q50V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568391IRF7103Q(N)50V escogen el MOSFET en doble canal de la energía de HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568392IRF7103QTRMOSFET de potencia de canal N para aplicaciones de sistemas de frenado antibloqueo, 50V, 3AInternational Rectifier
568393IRF7103TR50V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568394IRF7104-20V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568395IRF7104TR-20V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568396IRF710525V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8International Rectifier
568397IRF7105KIT DE LA EVALUACIÓNMicrosemi
568398IRF7105TR25V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8International Rectifier
568399IRF710620V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8International Rectifier
568400IRF7106TR20V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8International Rectifier
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