Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
568881 | IRF830B | Mosfet Del N-Canal 500V | Fairchild Semiconductor |
568882 | IRF830L | HEXFET MOSFET de potencia. VDS = 500V, RDS (on) = 1,40 Ohm, ID = 5,0 A | International Rectifier |
568883 | IRF830PBF | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568884 | IRF830S | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568885 | IRF830STRL | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568886 | IRF830STRR | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568887 | IRF831 | Energía A MOSFETs/4,5/450V/500V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568888 | IRF831 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. | General Electric Solid State |
568889 | IRF832 | Energía A MOSFETs/4,5/450V/500V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568890 | IRF832 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
568891 | IRF833 | Energía A MOSFETs/4,5/450V/500V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568892 | IRF833 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
568893 | IRF840 | Å, 500V, 0,850 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568894 | IRF840 | N-canal 500V - 0,75 OHMIOS - Å - Mosfet De To-220 POWERMESH | ST Microelectronics |
568895 | IRF840 | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568896 | IRF840 | N - CANAL 500V - Los 0.7Öhm - Å - Mosfet De To-220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
568897 | IRF840 | Energía de la avalancha del transistor de PowerMOS clasificada | Philips |
568898 | IRF840 | TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO de la ENERGÍA de la PUERTA de SILICIO Del Realce-modo Del N-canal TMOS | Motorola |
568899 | IRF840 | Mosfet De la Energía De Å/De 500V/0,850 Ohmios/N-Canal | Intersil |
568900 | IRF840 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
568901 | IRF8401111 | N-canal de los TRANSISTORES | International Rectifier |
568902 | IRF840A | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Fairchild Semiconductor |
568903 | IRF840A | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568904 | IRF840AL | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
568905 | IRF840APBF | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568906 | IRF840AS | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568907 | IRF840ASTRL | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568908 | IRF840ASTRR | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568909 | IRF840B | Mosfet Del N-Canal 500V | Fairchild Semiconductor |
568910 | IRF840F1 | HEXFET de canal N, 500V, 4,5A | SGS Thomson Microelectronics |
568911 | IRF840LC | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568912 | IRF840LCL | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
568913 | IRF840LCPBF | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568914 | IRF840LCS | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568915 | IRF840LCSTRL | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568916 | IRF840LCSTRR | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568917 | IRF840PBF | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568918 | IRF840S | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568919 | IRF840STRL | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568920 | IRF840STRR | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| | | |