Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
580961 | ISL98001-275 | Avanzada 275MHz Triple digitalizador de vídeo con Digital PLL | Intersil |
580962 | ISL98002-140 | Triple Vídeo Digitalizador con Digital PLL | Intersil |
580963 | ISL98002-170 | Triple Vídeo Digitalizador con Digital PLL | Intersil |
580964 | ISL98003-110 | 8-Bit de vídeo analógico (AFE) con Medición y Ajuste automático Características | Intersil |
580965 | ISL98003-150 | 8-Bit de vídeo analógico (AFE) con Medición y Ajuste automático Características | Intersil |
580966 | ISL98003-165 | 8-Bit de vídeo analógico (AFE) con Medición y Ajuste automático Características | Intersil |
580967 | ISL98012 | 1.8V PWM entrada Step-Up Regulador | Intersil |
580968 | ISL98604 | 6-Channel Integrado de Suministro de LCD | Intersil |
580969 | ISL9860PF2 | Å, Diodo De 600V Stealth | Fairchild Semiconductor |
580970 | ISL9860PF2 | Å, Diodo De 600V Stealth | Samsung Electronic |
580971 | ISL9860PF2 | Å, Diodo De 600V Stealth | Fairchild Semiconductor |
580972 | ISL9860PF2 | Å, Diodo De 600V Stealth | Samsung Electronic |
580973 | ISL98665 | Suministros TFT-LCD + DVR + V COM Amplificador | Intersil |
580974 | ISL99140 | Módulo de alimentación DrMOS 40A con diodo integrado de emulación y de salida Advertencia térmica | Intersil |
580975 | ISL99201 | Sin filtro de alta eficiencia 1.5W Clase Mono Amplificador D | Intersil |
580976 | ISL99202 | 60mW, Capfree, amplificador de auriculares estéreo | Intersil |
580977 | ISL99203 | Alta eficiencia Subsistema de audio | Intersil |
580978 | ISL9K1560G3 | El 1Ä, 600V Stealth TM Se dobla Diodo | Fairchild Semiconductor |
580979 | ISL9K18120G3 | 1Å, Diodo Dual De 1200V Stealth | Fairchild Semiconductor |
580980 | ISL9K30120G3 | 30A, Diodo Dual De 1200V Stealth | Fairchild Semiconductor |
580981 | ISL9K3060G3 | 30A, Diodo Dual De 600V Stealth | Fairchild Semiconductor |
580982 | ISL9K3060G3_NL | 30A, Diodo Dual De 600V Stealth | Fairchild Semiconductor |
580983 | ISL9K460P3 | Â, Diodo Dual De 600v Stealth | Fairchild Semiconductor |
580984 | ISL9K8120P3 | 8A, Diodo Dual De 1200V Stealth | Fairchild Semiconductor |
580985 | ISL9K860P3 | Å, Diodo Dual De 600V Stealth | Fairchild Semiconductor |
580986 | ISL9N2357D3ST | 30V, 0,007 Ohmios, 3Ä, Mosfet De la Energía Del Foso Del ® De UltraFET Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
580987 | ISL9N302AP3 | MOSFETs Optimizados PWM De la Energía Del Foso De UltraFET® Del Nivel De la Lógica Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
580988 | ISL9N302AS3 | Información de producto | Fairchild Semiconductor |
580989 | ISL9N302AS3S | Información de producto | Fairchild Semiconductor |
580990 | ISL9N302AS3ST | MOSFETs Optimizados PWM De la Energía Del Foso De UltraFET® Del Nivel De la Lógica Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
580991 | ISL9N302AS3ST_NL | MOSFETs Optimizados PWM De la Energía Del Foso De UltraFET Del Nivel De la Lógica Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
580992 | ISL9N303AP3 | MOSFETs 30V, 7Ä, Los 3.2mOhm Del Foso De UltraFETR Del Nivel De la Lógica Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
580993 | ISL9N303AP3_NL | MOSFETs Del Foso De UltraFET Del Nivel De la Lógica Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
580994 | ISL9N303AS3 | MOSFETs 30V, 7Ä, Los 3.2mOhm Del Foso De UltraFETR Del Nivel De la Lógica Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
580995 | ISL9N303AS3ST | MOSFETs 30V, 7Ä, Los 3.2mOhm Del Foso De UltraFETR Del Nivel De la Lógica Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
580996 | ISL9N303AS3ST_NL | MOSFETs Del Foso De UltraFET Del Nivel De la Lógica Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
580997 | ISL9N304AP3 | MOSFETs 30V, 7Ä, Los 4.5mOhm Del Foso De UltraFET R Del Nivel De la Lógica Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
580998 | ISL9N304AS3ST | MOSFETs 30V, 7Ä, Los 4.5mOhm Del Foso De UltraFET R Del Nivel De la Lógica Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
580999 | ISL9N305ASK8T | El Nivel PWM De la Lógica Del N-Canal Optimizó el Mosfet De la Energía Del Foso Del ® De UltraFET | Fairchild Semiconductor |
581000 | ISL9N306AD3 | El Nivel PWM De la Lógica Del N-Canal Optimizó Los MOSFETs 30V, 50A, Los 6mOhm De la Energía Del Foso De UltraFET R | Fairchild Semiconductor |
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