| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 58921 | 2SD987 | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO DARLINGTON DE NPN | Unknow |
| 58922 | 2SD992 | TRANSISTOR EPITAXIAL MP-3 DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 58923 | 2SD992-Z | TRANSISTOR EPITAXIAL MP-3 DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 58924 | 2SD993 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE TRANSISTOR DEL MESA DE NPN DEL SILICIO PARA LA SALIDA DE H-DEFLECTION | SANYO |
| 58925 | 2SD993 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE TRANSISTOR DEL MESA DE NPN DEL SILICIO PARA LA SALIDA DE H-DEFLECTION | SANYO |
| 58926 | 2SD995 | EL TIPO DIFUNDIDO TRIPLE TRANSISTOR DEL MESA DE NPN DEL SILICIO PARA H-DEFLECTION HIZO SALIR CON ALTO VOLTAJE | SANYO |
| 58927 | 2SD995 | EL TIPO DIFUNDIDO TRIPLE TRANSISTOR DEL MESA DE NPN DEL SILICIO PARA H-DEFLECTION HIZO SALIR CON ALTO VOLTAJE | SANYO |
| 58928 | 2SD999 | MOLDE DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN MINI | NEC |
| 58929 | 2SD999-T1 | Transistor del silicio | NEC |
| 58930 | 2SD999-T2 | Transistor del silicio | NEC |
| 58931 | 2SH11 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58932 | 2SH12 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58933 | 2SH13 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58934 | 2SH14 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58935 | 2SH15 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58936 | 2SH16 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58937 | 2SH17 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58938 | 2SH18 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58939 | 2SH19 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58940 | 2SH20 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58941 | 2SH21 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58942 | 2SH22 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58943 | 2SH26 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58944 | 2SH26 | Uso general de Transistors>IGBT>for | Renesas |
| 58945 | 2SH27 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58946 | 2SH27 | Uso general de Transistors>IGBT>for | Renesas |
| 58947 | 2SH28 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58948 | 2SH28 | Uso general de Transistors>IGBT>for | Renesas |
| 58949 | 2SH29 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58950 | 2SH29 | Uso general de Transistors>IGBT>for | Renesas |
| 58951 | 2SH30 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58952 | 2SH30 | Uso general de Transistors>IGBT>for | Renesas |
| 58953 | 2SH31 | IGBTs | Hitachi Semiconductor |
| 58954 | 2SH31 | Uso general de Transistors>IGBT>for | Renesas |
| 58955 | 2SJ0146 | Silicio P-MOS del canal del FET | Panasonic |
| 58956 | 2SJ0163 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs de la ensambladura | Panasonic |
| 58957 | 2SJ0164 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs de la ensambladura | Panasonic |
| 58958 | 2SJ0364 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs de la ensambladura | Panasonic |
| 58959 | 2SJ0364G | Silicio P-canal de unión FET | Panasonic |
| 58960 | 2SJ0398 | Silicio P-MOS del canal | Panasonic |
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