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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
884761ML99212InGaAsP - MQW - DIODOS del Laser de DFBMitsubishi Electric Corporation
884762ML99213InGaAsP - MQW - DIODOS del Laser de DFBMitsubishi Electric Corporation
884763ML99237DIODO del Laser De InGaAsP DFB De la Alta EnergíaMitsubishi Electric Corporation
884764ML9SM37DIODO del Laser De InGaAsP DFB De la Alta EnergíaMitsubishi Electric Corporation
884765ML9XX10DIODOS del Laser de la ALTA ENERGÍA De InGaAsP-MQWMitsubishi Electric Corporation
884766ML9XX11La Optoelectrónica - Productos DiscretosMitsubishi Electric Corporation
884767ML9XX11CWDMLa Optoelectrónica - Productos DiscretosMitsubishi Electric Corporation
884768ML9XX12DIODOS del Laser De InGaAsP-MQW-DFBMitsubishi Electric Corporation
884769ML9XX13La Optoelectrónica - Productos ContinuadosMitsubishi Electric Corporation
884770ML9XX14InGaAsP Dfb-dfb-ld con el modulador del EAMitsubishi Electric Corporation
884771ML9XX14 SERIESInGaAsP DFB - Ld con el modulador del EAMitsubishi Electric Corporation
884772ML9XX15InGaAsP Dfb-dfb-ld con el modulador del EAMitsubishi Electric Corporation
884773ML9XX15 SERIESInGaAsP DFB - Ld con el modulador del EAMitsubishi Electric Corporation
884774ML9XX17DIODO del Laser De InGaAsP Mqw-dfb CON EL MODULADOR del EaMitsubishi Electric Corporation
884775ML9XX17 SERIESDIODO del Laser De InGaAsP Mqw-dfb CON EL MODULADOR del EaMitsubishi Electric Corporation
884776ML9XX18La Optoelectrónica - Productos DiscretosMitsubishi Electric Corporation
884777ML9XX18 SERIESDIODO del Laser De InGaAs Mqw-dfb CON EL MODULADOR del EaMitsubishi Electric Corporation
884778ML9XX19La Optoelectrónica - Productos DiscretosMitsubishi Electric Corporation



884779ML9XX19CWDMLa Optoelectrónica - Productos DiscretosMitsubishi Electric Corporation
884780ML9XX25La Optoelectrónica - Productos DiscretosMitsubishi Electric Corporation
884781ML9XX31La Optoelectrónica - Productos DiscretosMitsubishi Electric Corporation
884782ML9XX35La Optoelectrónica - Productos DiscretosMitsubishi Electric Corporation
884783ML9XX37DIODO del Laser De InGaAsP DFB De la Alta EnergíaMitsubishi Electric Corporation
884784ML9XX6DIODOS del Laser InGaAsP-MQW-Punto de congelacio'nMitsubishi Electric Corporation
884785MLB470-1330Aviruta azul de los 470nm GaN LEDetc
884786MLB470-1330Aviruta azul de los 470nm GaN LEDetc
884787MLC496Supresor Transitorio Del VoltajeMicrosemi
884788MLD1N06CLMOSFET LIMITADOR ACTUAL AFIANZADO CON ABRAZADERA VOLTAJEMotorola
884789MLD1N06CLMosfet de SMARTDISCRETES 1 Amperio, 62 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
884790MLD1N06CL-DMosfet de SMARTDISCRETES 1 Amperio, 62 Voltios, N-Canal Llano DPAK De la LógicaON Semiconductor
884791MLD1N06CLT4Mosfet de SMARTDISCRETES 1 Amperio, 62 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
884792MLD1N06CLT4GMosfet de SMARTDISCRETES 1 Amperio, 62 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
884793MLD2N06CLMOSFET LIMITADOR ACTUAL AFIANZADO CON ABRAZADERA VOLTAJEMotorola
884794MLD2N06CLMosfet Afianzado Con abrazadera VoltajeON Semiconductor
884795MLD2N06CL-DSMARTDISCRETES Internamente Afianzado Con abrazadera, Mosfet Limitado Actual De la Energía Del Nivel De la Lógica Del N-CanalON Semiconductor
884796MLD2N06CLT4Mosfet Afianzado Con abrazadera VoltajeON Semiconductor
884797MLD571UN CONDUCTOR DE LA LÁMPARA/LEDMicro Electronics
884798MLESupresor Transitorio De múltiples capas Del VoltajeLittelfuse
884799MLED81LED INFRARROJOMotorola
884800MLED81LED INFRARROJOMotorola
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