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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
912081MTD2005FEnergía ICs/Operación De los Conductores Del Motor De pasos (Serie de MTD): BipolarShindengen
912082MTD2006Energía ICs/Operación De los Conductores Del Motor De pasos (Serie de MTD): BipolarShindengen
912083MTD2006FEnergía ICs/Operación De los Conductores Del Motor De pasos (Serie de MTD): BipolarShindengen
912084MTD20N03HDLNIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 20 AMPERIOS 30 VOLTIOS De RDS(on) = 0,035 OHMIOSMotorola
912085MTD20N03HDLMosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, DPAK Nivel lógico N-CanalON Semiconductor
912086MTD20N03HDL-DMosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, N-Canal Llano DPAK De la LógicaON Semiconductor
912087MTD20N03HLFet de alta densidad DPAK de la energía de HDTMOS E-FET para el montaje superficialMotorola
912088MTD20N06Fet de la ENERGÍA de TMOS 20 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,080 OHMIOSMotorola
912089MTD20N06HDFet de la ENERGÍA de TMOS 20 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,045 OHMIOSMotorola
912090MTD20N06HDMosfet De la Energía 20 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
912091MTD20N06HD-DMosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios De N-Canal DPAKON Semiconductor
912092MTD20N06HDLNIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 20 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,045 OHMIOSMotorola
912093MTD20N06HDLMosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, de nivel lógicoON Semiconductor
912094MTD20N06HDL-DMosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano DPAK De la LógicaON Semiconductor
912095MTD20N06VFet de la ENERGÍA de TMOS 20 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,080 OHMIOSMotorola
912096MTD20N06V20 A DPAK N-Channel MOSFET, el VDSS 60ON Semiconductor
912097MTD20N06V-DTransistor de efecto de campo de la energía de TMOS V DPAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montajeON Semiconductor
912098MTD20P03NIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 19 AMPERIOS 30 VOLTIOS De RDS(on) = 0,099 OHMIOSMotorola
912099MTD20P03HDLNIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 19 AMPERIOS 30 VOLTIOS De RDS(on) = 0,099 OHMIOSMotorola



912100MTD20P03HDLMosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la LógicaON Semiconductor
912101MTD20P03HDL-DMosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la LógicaON Semiconductor
912102MTD20P03HDL1Mosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la LógicaON Semiconductor
912103MTD20P03HDL1GMosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la LógicaON Semiconductor
912104MTD20P03HDLGMosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la LógicaON Semiconductor
912105MTD20P03HDLT4Mosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la LógicaON Semiconductor
912106MTD20P03HDLT4GMosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la LógicaON Semiconductor
912107MTD20P06NIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 15 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 175 MOHMMotorola
912108MTD20P06HDLNIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 15 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 175 MOHMMotorola
912109MTD20P06HDLMosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
912110MTD20P06HDL-DMosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la LógicaON Semiconductor
912111MTD20P06HDLGMosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
912112MTD20P06HDLT4Mosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
912113MTD20P06HDLT4GMosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
912114MTD214Codificador Ethernet / decodificador y 10 baseT transceptorMYSON TECHNOLOGY
912115MTD2955EFet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,3 OHMIOSMotorola
912116MTD2955ETransistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS DPAK para el montaje superficialON Semiconductor
912117MTD2955E-1FET de potencia TMOS. 60 V, 12 A, RDS (on) 0.3 Ohm.Motorola
912118MTD2955E-DTransistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS DPAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del P-Canal del montajeON Semiconductor
912119MTD2955ET4Transistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS DPAK para el montaje superficialON Semiconductor
912120MTD2955VFet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,230 OHMIOSMotorola
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