Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
912081 | MTD2005F | Energía ICs/Operación De los Conductores Del Motor De pasos (Serie de MTD): Bipolar | Shindengen |
912082 | MTD2006 | Energía ICs/Operación De los Conductores Del Motor De pasos (Serie de MTD): Bipolar | Shindengen |
912083 | MTD2006F | Energía ICs/Operación De los Conductores Del Motor De pasos (Serie de MTD): Bipolar | Shindengen |
912084 | MTD20N03HDL | NIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 20 AMPERIOS 30 VOLTIOS De RDS(on) = 0,035 OHMIOS | Motorola |
912085 | MTD20N03HDL | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, DPAK Nivel lógico N-Canal | ON Semiconductor |
912086 | MTD20N03HDL-D | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, N-Canal Llano DPAK De la Lógica | ON Semiconductor |
912087 | MTD20N03HL | Fet de alta densidad DPAK de la energía de HDTMOS E-FET para el montaje superficial | Motorola |
912088 | MTD20N06 | Fet de la ENERGÍA de TMOS 20 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,080 OHMIOS | Motorola |
912089 | MTD20N06HD | Fet de la ENERGÍA de TMOS 20 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,045 OHMIOS | Motorola |
912090 | MTD20N06HD | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
912091 | MTD20N06HD-D | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios De N-Canal DPAK | ON Semiconductor |
912092 | MTD20N06HDL | NIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 20 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,045 OHMIOS | Motorola |
912093 | MTD20N06HDL | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, de nivel lógico | ON Semiconductor |
912094 | MTD20N06HDL-D | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano DPAK De la Lógica | ON Semiconductor |
912095 | MTD20N06V | Fet de la ENERGÍA de TMOS 20 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,080 OHMIOS | Motorola |
912096 | MTD20N06V | 20 A DPAK N-Channel MOSFET, el VDSS 60 | ON Semiconductor |
912097 | MTD20N06V-D | Transistor de efecto de campo de la energía de TMOS V DPAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
912098 | MTD20P03 | NIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 19 AMPERIOS 30 VOLTIOS De RDS(on) = 0,099 OHMIOS | Motorola |
912099 | MTD20P03HDL | NIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 19 AMPERIOS 30 VOLTIOS De RDS(on) = 0,099 OHMIOS | Motorola |
912100 | MTD20P03HDL | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la Lógica | ON Semiconductor |
912101 | MTD20P03HDL-D | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la Lógica | ON Semiconductor |
912102 | MTD20P03HDL1 | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la Lógica | ON Semiconductor |
912103 | MTD20P03HDL1G | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la Lógica | ON Semiconductor |
912104 | MTD20P03HDLG | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la Lógica | ON Semiconductor |
912105 | MTD20P03HDLT4 | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la Lógica | ON Semiconductor |
912106 | MTD20P03HDLT4G | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la Lógica | ON Semiconductor |
912107 | MTD20P06 | NIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 15 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 175 MOHM | Motorola |
912108 | MTD20P06HDL | NIVEL de la LÓGICA del Fet de la ENERGÍA de TMOS 15 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 175 MOHM | Motorola |
912109 | MTD20P06HDL | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la Lógica | ON Semiconductor |
912110 | MTD20P06HDL-D | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, P-Canal Llano DPAK De la Lógica | ON Semiconductor |
912111 | MTD20P06HDLG | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la Lógica | ON Semiconductor |
912112 | MTD20P06HDLT4 | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la Lógica | ON Semiconductor |
912113 | MTD20P06HDLT4G | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la Lógica | ON Semiconductor |
912114 | MTD214 | Codificador Ethernet / decodificador y 10 baseT transceptor | MYSON TECHNOLOGY |
912115 | MTD2955E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,3 OHMIOS | Motorola |
912116 | MTD2955E | Transistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS DPAK para el montaje superficial | ON Semiconductor |
912117 | MTD2955E-1 | FET de potencia TMOS. 60 V, 12 A, RDS (on) 0.3 Ohm. | Motorola |
912118 | MTD2955E-D | Transistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS DPAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del P-Canal del montaje | ON Semiconductor |
912119 | MTD2955ET4 | Transistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS DPAK para el montaje superficial | ON Semiconductor |
912120 | MTD2955V | Fet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,230 OHMIOS | Motorola |
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