|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:

Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Las hojas de datos encontraron :: 1351360

Página: << | 22817 | 22818 | 22819 | 22820 | 22821 | 22822 | 22823 | 22824 | 22825 | 22826 | 22827 | >>

Nr.	Nombre de la Parte	Descripción	Fabricante
912841	MTP10N40E	10 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 400	ON Semiconductor
912842	MTP10N40E-D	Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía Del E-E-fet de TMOS	ON Semiconductor
912843	MTP10N60E7	TMOS 7 E-fet™ Fet De la Energía De la Alta Energía	ON Semiconductor
912844	MTP10N60E7-D	Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía E-E-fet de TMOS 7	ON Semiconductor
912845	MTP12N05E	TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA	Motorola
912846	MTP12N06	Fet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,180 OHMIOS	Motorola
912847	MTP12N06EZL	Fet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,180 OHMIOS	Motorola
912848	MTP12N06EZL	OBSOLETO - Canal N Realce-Modo Del Silicio Puerta	ON Semiconductor
912849	MTP12N06EZL-D	Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía Del E-E-fet de TMOS	ON Semiconductor
912850	MTP12N10E	Fet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 100 VOLTIOS De RDS(on) = 0,16 OHMIOS	Motorola
912851	MTP12N10E	OBSOLETO - 12 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 100	ON Semiconductor
912852	MTP12N10E-D	Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOS	ON Semiconductor
912853	MTP12N18	MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 12A, 150-200 V	Fairchild Semiconductor
912854	MTP12N20	MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 12A, 150-200 V	Fairchild Semiconductor
912855	MTP12P06	TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA	Motorola
912856	MTP12P10	Fet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 100 VOLTIOS De RDS(on) = 0,3 OHMIOS	Motorola
912857	MTP12P10	TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA	Motorola
912858	MTP12P10	Mosfet De la Energía 12 Amperios, 100 Voltios	ON Semiconductor
912859	MTP12P10-D	Mosfet De la Energía 12 Amperios, 100 Voltios De P-Canal To-220	ON Semiconductor

912860	MTP1302	Fet de la ENERGÍA de TMOS 42 AMPERIOS 30 VOLTIOS de RDS(on) = mohm 22	Motorola
912861	MTP1302	OBSOLETOS - Mosfet De la Energía 42 Amperios, 30 Voltios	ON Semiconductor
912862	MTP1302-D	Mosfet De la Energía 42 Amperios, 30 Voltios De N-Canal To-220	ON Semiconductor
912863	MTP1306	Fet de la ENERGÍA de TMOS 75 AMPERIOS 30 VOLTIOS De RDS(on) = 0,0065 OHMIOS	Motorola
912864	MTP1306	Mosfet De la Energía 75 Amperios, 30 Voltios	ON Semiconductor
912865	MTP1306-D	Mosfet De la Energía 75 Amperios, 30 Voltios De N-Canal To-220	ON Semiconductor
912866	MTP156K00691D	Condensadores Mojados Subminiature, Plomos Axiales Del Tantalio	Vishay
912867	MTP156M00691D	Condensadores Mojados Subminiature, Plomos Axiales Del Tantalio	Vishay
912868	MTP15N05EL	TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA	Motorola
912869	MTP15N05L	TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA	Motorola
912870	MTP15N06L	TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA	Motorola
912871	MTP15N06V	Fet de la ENERGÍA de TMOS 15 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,12 OHMIOS	Motorola
912872	MTP15N06V	Mosfet De la Energía 15 Amperios, 60 Voltios	ON Semiconductor
912873	MTP15N06V-D	Mosfet De la Energía 15 Amperios, 60 Voltios De N-Canal To-220	ON Semiconductor
912874	MTP15N06VL	Fet de la ENERGÍA de TMOS 15 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,085 OHMIOS	Motorola
912875	MTP15N06VL	Mosfet De la Energía 15 Amperios, 60 Voltios, de nivel lógico	ON Semiconductor
912876	MTP15N06VL-D	Mosfet De la Energía 15 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano To-220 De la Lógica	ON Semiconductor
912877	MTP15N15	TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA	Motorola
912878	MTP16N25E	Fet de la ENERGÍA de TMOS 16 AMPERIOS 250 VOLTIOS De RDS(on) = 0,25 OHMIOS	Motorola
912879	MTP16N25E	OBSOLETO - 16 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 250	ON Semiconductor
912880	MTP16N25E-D	Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOS	ON Semiconductor

Las hojas de datos encontraron :: 1351360

Página: << | 22817 | 22818 | 22819 | 22820 | 22821 | 22822 | 22823 | 22824 | 22825 | 22826 | 22827 | >>

© 2024 - www.DatasheetCatalog.com