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1N5529B Fabricado cerca: |
0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 9.1 V Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -5% De tolerancia. Otros con el mismo archivo para el datasheet: 1N5524C, 1N5527B, 1N5527A, 1N5526B, 1N5526A, |
Transferencia Directa 1N5529B datasheet de Jinan Gude Electronic Device |
pdf 248 kb |
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CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA Otros con el mismo archivo para el datasheet: 1N5544B-1, 1N5546B, 1N5546B-1, 1N5521B-1, 1N5522B, |
Transferencia Directa 1N5529B datasheet de Compensated Devices Incorporated |
pdf 104 kb |
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Avalancha Zener De la Baja Tensión Otros con el mismo archivo para el datasheet: JAN1N5544B, 1N5532B, JAN1N5546B, 1N5531B, 1N5530B, |
Transferencia Directa 1N5529B datasheet de Microsemi |
pdf 90 kb |
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Avalancha Zener De la Baja Tensión Otros con el mismo archivo para el datasheet: 1N5538B, JANHCA1N5523B, 1N5539, 1N5539A, JANKCA1N5538B, |
Transferencia Directa 1N5529B datasheet de Microsemi |
pdf 113 kb |
1N5529A | Vista 1N5529B a nuestro catálogo | 1N5529B (DO35) |