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2N23867 Fabricado cerca: |
1.000W de potencia PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 3.000A Ic, 40-200 hFE. Otros con el mismo archivo para el datasheet: 2N3867, |
Transferencia Directa 2N23867 datasheet de Continental Device India Limited |
pdf 65 kb |
2N2380A | Vista 2N23867 a nuestro catálogo | 2N2405 |