 |
|
| | Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
|
| Salto rápido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF632 Fabricado cerca: | 
|
 | MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF633, IRF631, IRF230, IRF230-233, IRF231, |
Transferencia Directa IRF632 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF630, |
Transferencia Directa IRF632 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
| IRF631 | Vista IRF632 a nuestro catálogo | IRF633 |