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K4E171612D-J Fabricado cerca: |
1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. Otros con el mismo archivo para el datasheet: K4E171611D-J, K4E151612D-T, K4E151612D-J, K4E151611D-T, K4E151611D-J, |
Transferencia Directa K4E171612D-J datasheet de Samsung Electronic |
pdf 552 kb |
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