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K4R271869B-MCG6 Fabricado cerca: |
256K x 18 x 32s bancos RDRAM directa. Tiempo de acceso: 53,3 ns, I / O frec .: 600 MHz. Otros con el mismo archivo para el datasheet: K4R271869B-MCK7, K4R271669B-MCG6, K4R271869B-NCK8, K4R271869B-NCK7, K4R271869B-NCG6, |
Transferencia Directa K4R271869B-MCG6 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 310 kb |
K4R271669F | Vista K4R271869B-MCG6 a nuestro catálogo | K4R271869B-MCK7 |