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| K9W4G16U1M Fabricado cerca: | 
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 | 256M x 8 memorias de destello del pedacito NAND del pedacito/el 128M x 16 Otros con el mismo archivo para el datasheet: K9K2G08Q0M-P, K9K2G16Q0M, K9K2G16U0M, K9W4G08U1M, |
Transferencia Directa K9W4G16U1M datasheet de Samsung Electronic |
pdf 637 kb |
| K9W4G08U1M | Vista K9W4G16U1M a nuestro catálogo | K9W8G08U1M |