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Hojas de datos encontradas :: 1013

Nr.	Nombre de la parte	Descripción	Fabricante
601	H11A5100	H11A520 H11A550 H11A5100	General Electric Solid State
602	H11A520	H11A520 H11A550 H11A5100	General Electric Solid State
603	H11A550	H11A520 H11A550 H11A5100	General Electric Solid State
604	H11B255	Fotón acopla aislador. Ga Como diodo emisor de infrarrojos y NPN de silicio foto-amplificador Darlington.	General Electric Solid State
605	H23A1	DETECTOR EMITIDO EMPAREJADO	General Electric Solid State
606	H23A2	DETECTOR EMITIDO EMPAREJADO	General Electric Solid State
607	H23B1	PAR EMPAREJADO DEL DETECTOR DEL EMISOR	General Electric Solid State
608	H23L1	Par Emparejado H23L1 Del Emisor-Detector	General Electric Solid State
609	H74A1	EL FOTÓN JUNTÓ EL AISLADOR	General Electric Solid State
610	ICL7605	Amplificador De Instrumentaion Del Automo'vil-Cero De la Alta Confiabilidad Que conmuta	General Electric Solid State
611	ICL8007	Amplificador Operacional Entrado JFET Alto De la Confiabilidad	General Electric Solid State
612	ICL8022	(ICL8021/ICL8023) Amplificador Operacional Bipolar De la Energía Baja	General Electric Solid State
613	IRF120	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 32 A de corriente.	General Electric Solid State
614	IRF121	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 32 A de corriente.	General Electric Solid State
615	IRF122	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 28A actual.	General Electric Solid State
616	IRF123	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 28A actual.	General Electric Solid State
617	IRF130	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 56A actual.	General Electric Solid State
618	IRF131	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 56A actual.	General Electric Solid State
619	IRF132	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 48A actual.	General Electric Solid State
620	IRF133	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 48A actual.	General Electric Solid State
621	IRF150	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 40A.	General Electric Solid State
622	IRF151	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 40A.	General Electric Solid State
623	IRF152	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 33A.	General Electric Solid State
624	IRF153	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 33A.	General Electric Solid State
625	IRF220	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A.	General Electric Solid State
626	IRF221	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A.	General Electric Solid State
627	IRF222	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A.	General Electric Solid State
628	IRF223	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A.	General Electric Solid State

629	IRF230	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a.	General Electric Solid State
630	IRF231	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a.	General Electric Solid State
631	IRF232	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A.	General Electric Solid State
632	IRF233	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A.	General Electric Solid State
633	IRF241	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 18A.	General Electric Solid State
634	IRF243	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 16A.	General Electric Solid State
635	IRF250	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 30A.	General Electric Solid State
636	IRF251	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 30A.	General Electric Solid State
637	IRF252	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 25A.	General Electric Solid State
638	IRF253	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 25A.	General Electric Solid State
639	IRF320	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.0A.	General Electric Solid State
640	IRF321	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.0A.	General Electric Solid State
641	IRF322	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A.	General Electric Solid State
642	IRF323	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A.	General Electric Solid State
643	IRF330	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A.	General Electric Solid State
644	IRF331	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A.	General Electric Solid State
645	IRF332	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A.	General Electric Solid State
646	IRF333	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A.	General Electric Solid State
647	IRF350	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 15A.	General Electric Solid State
648	IRF351	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 15A.	General Electric Solid State
649	IRF352	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 13A.	General Electric Solid State
650	IRF353	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 13A.	General Electric Solid State

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