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Hojas de datos encontradas :: 284

Nr.	Nombre de la parte	Descripción	Fabricante
51	2SA2002	600mW plomo transistor PNP marco, máxima calificación: -20V VCEO, -700mA Ic, 150 a 800 hFE. 2SC5485 Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
52	2SA2027	TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO	Isahaya Electronics Corporation
53	2SA2027	TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO	Isahaya Electronics Corporation
54	2SA2068	TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL	Isahaya Electronics Corporation
55	2SA2068	TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL	Isahaya Electronics Corporation
56	2SA2068E	TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL	Isahaya Electronics Corporation
57	2SA2068E	TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL	Isahaya Electronics Corporation
58	2SA2068F	TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL	Isahaya Electronics Corporation
59	2SA2068F	TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL	Isahaya Electronics Corporation
60	2SA2068G	TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL	Isahaya Electronics Corporation
61	2SA2068G	TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL	Isahaya Electronics Corporation
62	2SB1035	900MW de plomo transistor PNP marco, máxima calificación: -25V VCEO, -1A Ic, 55-300 hFE. 2SD1447 Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
63	2SB1314	2W transistor PNP bastidor de conductores, máxima calificación: -60V VCEO, -3A Ic, 150 a 500 hFE.	Isahaya Electronics Corporation
64	2SC3052	LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFICA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO	Isahaya Electronics Corporation
65	2SC3052	LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFICA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO	Isahaya Electronics Corporation
66	2SC3052	LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFICA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO	Isahaya Electronics Corporation
67	2SC3053	Transistor NPN 150mW SMD, calificación máxima: 25V VCEO, 30mA Ic, 35-180 hFE. corresponden 2SC710	Isahaya Electronics Corporation
68	2SC3242	900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 16V VCEO, 2A Ic, 150 a 800 hFE. 2SA1282 Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
69	2SC3242A	900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 20V VCEO, 2A Ic, 150 a 500 hFE. 2SA1282A Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
70	2SC3243	900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 60V VCEO, 1A Ic, 55-300 hFE. 2SA1283 Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
71	2SC3244	900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 100V VCEO, 500mA Ic, 55-300 hFE. 2SA1284 Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
72	2SC3245	900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 120V VCEO, 100mA Ic, 150 a 800 hFE. 2SA1285 Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
73	2SC3245A	900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 150V VCEO, 100mA Ic, 150 a 500 hFE. 2SA1285A Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
74	2SC3246	900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 25V VCEO, 1.5A Ic, 400-3000 hFE. 2SA1286 Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
75	2SC3247	PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAIS APPLICAITON	Isahaya Electronics Corporation
76	2SC3247	PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAIS APPLICAITON	Isahaya Electronics Corporation

77	2SC3247	PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAIS APPLICAITON	Isahaya Electronics Corporation
78	2SC3249	PARA EL TIPO PEQUEÑO USO DE LA SALIDA DEL CHROMA DEL COLOR TV	Isahaya Electronics Corporation
79	2SC3249	PARA EL TIPO PEQUEÑO USO DE LA SALIDA DEL CHROMA DEL COLOR TV	Isahaya Electronics Corporation
80	2SC3249	PARA EL TIPO PEQUEÑO USO DE LA SALIDA DEL CHROMA DEL COLOR TV	Isahaya Electronics Corporation
81	2SC3438	Transistor NPN 500mW SMD, calificación máxima: 100V VCEO, 500mA Ic, 55-300 hFE. 2SA1368 Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
82	2SC3439	PARA EL TIPO PEQUEÑO TIPO EPITAXIAL DEL USO SILCON NPNDE LA IMPULSIÓN DEL ÉMBOLO DEL MOTOR	Isahaya Electronics Corporation
83	2SC3439	PARA EL TIPO PEQUEÑO TIPO EPITAXIAL DEL USO SILCON NPNDE LA IMPULSIÓN DEL ÉMBOLO DEL MOTOR	Isahaya Electronics Corporation
84	2SC3439	PARA EL TIPO PEQUEÑO TIPO EPITAXIAL DEL USO SILCON NPNDE LA IMPULSIÓN DEL ÉMBOLO DEL MOTOR	Isahaya Electronics Corporation
85	2SC3440	TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DELA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation
86	2SC3440	TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DELA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation
87	2SC3440	TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DELA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation
88	2SC3441	TRANSISTOR DEL SILICIO NPN EPTAXIAL	Isahaya Electronics Corporation
89	2SC3441	TRANSISTOR DEL SILICIO NPN EPTAXIAL	Isahaya Electronics Corporation
90	2SC3441	TRANSISTOR DEL SILICIO NPN EPTAXIAL	Isahaya Electronics Corporation
91	2SC3443	PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation
92	2SC3443	PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation
93	2SC3443	PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation
94	2SC3444	PARA EL TIPO EPITAXIAL BAJO DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA ENERGÍA AMPLFY DE LA FRECUENCIA	Isahaya Electronics Corporation
95	2SC3444	PARA EL TIPO EPITAXIAL BAJO DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA ENERGÍA AMPLFY DE LA FRECUENCIA	Isahaya Electronics Corporation
96	2SC3444	PARA EL TIPO EPITAXIAL BAJO DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA ENERGÍA AMPLFY DE LA FRECUENCIA	Isahaya Electronics Corporation
97	2SC3580	900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 20V VCEO, 700mA Ic, 150 a 800 hFE. 2SA1398 Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
98	2SC3581	900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 50V VCEO, 400mA Ic, 90-500 hFE. 2SA1399 Complementaria	Isahaya Electronics Corporation
99	2SC3728	PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation
100	2SC3728	PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation

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