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Hojas de datos encontradas :: 657

Nr.	Nombre de la parte	Descripción	Fabricante
601	SMAJ170A	170.00V; 1mA; 400W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
602	SMBJ100	100.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
603	SMBJ100A	100.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
604	SMBJ110	110.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
605	SMBJ110A	110.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
606	SMBJ120	120.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
607	SMBJ120A	120.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
608	SMBJ130	130.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
609	SMBJ130A	130.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
610	SMBJ150	150.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
611	SMBJ150A	150.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
612	SMBJ160	160.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
613	SMBJ160A	160.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
614	SMBJ170	170.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
615	SMBJ170A	170.00V; 1mA; 600W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
616	SMCJ100	100.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
617	SMCJ100A	100.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
618	SMCJ110	110.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
619	SMCJ110A	110.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
620	SMCJ120	120.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
621	SMCJ120A	120.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
622	SMCJ130	130.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
623	SMCJ130A	130.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
624	SMCJ150	150.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
625	SMCJ150A	150.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
626	SMCJ160	160.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor

627	SMCJ160A	160.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
628	SMCJ170	170.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
629	SMCJ170A	170.00V; 1mA; 1500W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
630	SMDJ100	100.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
631	SMDJ100A	100.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
632	SMDJ110	110.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
633	SMDJ110A	110.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
634	SMDJ120	120.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
635	SMDJ120A	120.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
636	SMDJ130	130.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
637	SMDJ130A	130.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
638	SMDJ150	150.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
639	SMDJ150A	150.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
640	SMDJ160	160.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
641	SMDJ160A	160.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
642	SMDJ170	170.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
643	SMDJ170A	170.00V; 1mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
644	SMLJ100	100.00V; 1 mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
645	SMLJ100A	100.00V; 1 mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
646	SMLJ110	110.00V; 1 mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
647	SMLJ110A	110.00V; 1 mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
648	SMLJ120	120.00V; 1 mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
649	SMLJ120A	120.00V; 1 mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
650	SMLJ130	130.00V; 1 mA; 3000W de potencia de cresta del impulso; montaje en superficie supresor de transitorios de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor

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