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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
31201MTP40N10EMosfet De la Energía 40 Amperios, 100 VoltiosON Semiconductor
31202MTP40N10E-DMosfet De la Energía 40 Amperios, 100 Voltios De N-Canal To-220ON Semiconductor
31203MTP4N40EOBSOLETO - 4 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 400ON Semiconductor
31204MTP4N40E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
31205MTP4N50E4 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 500ON Semiconductor
31206MTP4N50E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
31207MTP4N80EOBSOLETO - 4 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 800ON Semiconductor
31208MTP4N80E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
31209MTP50N06VMOSFET de potencia 60 V, 42 A, canal N, TO-220ON Semiconductor
31210MTP50N06V-DMosfet De la Energía 42 Amperios, 60 Voltios De N-Canal To-220ON Semiconductor
31211MTP50N06VLMosfet De la Energía 42 Amperios, 60 Voltios, de nivel lógicoON Semiconductor
31212MTP50N06VL-DMosfet De la Energía 42 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano To-220 De la LógicaON Semiconductor
31213MTP50P03HDLMosfet De la Energía 50 Amperios, 30 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
31214MTP50P03HDL-DMosfet De la Energía 50 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano To-220 De la LógicaON Semiconductor
31215MTP50P03HDLGMosfet De la Energía 50 Amperios, 30 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
31216MTP52N06VMosfet De la Energía 52 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
31217MTP52N06V-DMosfet De la Energía 52 Amperios, 60 Voltios De N-Canal To-220ON Semiconductor
31218MTP52N06VLMosfet De la Energía 52 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
31219MTP52N06VL-DMosfet De la Energía 52 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano To-220 De la LógicaON Semiconductor
31220MTP52N06VLGMosfet De la Energía 52 Amperios, 60 Voltios, Nivel De la LógicaON Semiconductor
31221MTP5N40E5 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 400ON Semiconductor
31222MTP5N40E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
31223MTP5P06VMosfet De la Energía 5 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
31224MTP5P06V-DMosfet De la Energía 5 Amperios, 60 Voltios De P-Canal To-220ON Semiconductor
31225MTP60N06HDMosfet De la Energía 60 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
31226MTP60N06HD-DMosfet De la Energía 60 Amperios, 60 Voltios De N-Canal To-220ON Semiconductor
31227MTP6N60EPoder transistor de efecto campoON Semiconductor
31228MTP6N60E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
31229MTP6P20EMosfet De la Energía 6 Amperios, 200 VoltiosON Semiconductor
31230MTP6P20E-DMosfet De la Energía 6 Amperios, 200 Voltios De P-Canal To-220ON Semiconductor
31231MTP75N03HDLOBSOLETO - REPUESTO P / N # NTP75N03L09ON Semiconductor
31232MTP75N03HDL-DMosfet De la Energía 75 Amperios, 25 Voltios, N-Canal Llano To-220 De la LógicaON Semiconductor
31233MTP75N05HDOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 75 Amperios, 50 VoltiosON Semiconductor
31234MTP75N05HD-DMosfet De la Energía 75 Amperios, 50 Voltios De N-Canal To-220ON Semiconductor
31235MTP75N06HDMosfet De la Energía 75 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
31236MTP75N06HD-DMosfet De la Energía 75 Amperios, 60 Voltios De N-Canal To-220ON Semiconductor
31237MTP7N20EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 7 Amperios, 200 VoltiosON Semiconductor
31238MTP7N20E-DMosfet De la Energía 7 Amperios, 200 Voltios De N-Canal To-220ON Semiconductor
31239MTP8N50EPoder transistor de efecto campoON Semiconductor
31240MTP8N50E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
31241MTP9N25E9 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 250ON Semiconductor
31242MTP9N25E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
31243MTSF1P02HDOBSOLETO - MOSFET de potencia 1 Amperio, 20 VoltiosON Semiconductor
31244MTSF1P02HD-DMosfet De la Energía 1 Amperio, 20 Voltios De P-Canal Micro8ON Semiconductor
31245MTSF2P02HDOBSOLETO - REPUESTO P / N # - NTTS2P02R2ON Semiconductor
31246MTSF2P02HD-DMosfet De la Energía 2 Amperios, 20 Voltios De P-Canal Micro8ON Semiconductor
31247MTSF2P03HDOBSOLETO - REPUESTO P / N # - NTTS2P03R2ON Semiconductor
31248MTSF2P03HD-DMosfet De la Energía 2 Amperios, 30 Voltios De P-Canal Micro8ON Semiconductor
31249MTSF3N02HDMosfet De la Energía 3 Amperios, 20 VoltiosON Semiconductor
31250MTSF3N02HD-DMosfet De la Energía 3 Amperios, 20 Voltios De N-Canal Micro8ON Semiconductor
31251MTSF3N03HDMosfet De la Energía 3 Amperios, 30 VoltiosON Semiconductor
31252MTSF3N03HD-DMosfet De la Energía 3 Amperios, 30 Voltios De N-Canal Micro8ON Semiconductor
31253MTV10N100E10 D3PAK Amp Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 500ON Semiconductor
31254MTV10N100E-DTransistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS D3PAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montajeON Semiconductor
31255MTV16N50E16 D3PAK Amp Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 500ON Semiconductor
31256MTV16N50E-DTransistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS D3PAK para el realce superficial del N-Canal del montaje - puerta de silicio del modoON Semiconductor
31257MTV20N50E20 D3PAK Amp Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 500ON Semiconductor
31258MTV20N50E-DTransistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS D3PAK para el realce superficial del N-Canal del montaje - puerta de silicio del modoON Semiconductor
31259MTV25N50EOBSOLETO - 25 Amp D3PAK Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 500ON Semiconductor
31260MTV25N50E-DTransistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS D3PAK para el realce superficial del N-Canal del montaje - puerta de silicio del modoON Semiconductor
31261MTV32N20EOBSOLETO - 32 Amp D3PAK Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 200ON Semiconductor
31262MTV32N20E-DTransistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS D3PAK para el realce superficial del N-Canal del montaje - puerta de silicio del modoON Semiconductor
31263MTV32N25EN-Canal Del Realce-Modo de Silicon PuertaON Semiconductor
31264MTV32N25E-DTransistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS D3PAK para el realce superficial del N-Canal del montaje - puerta de silicio del modoON Semiconductor
31265MTV6N100E6 Amp D3PAK Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 1000ON Semiconductor
31266MTV6N100E-DTransistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS D3PAK para el realce superficial del N-Canal del montaje - puerta de silicio del modoON Semiconductor
31267MTW10N100EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 10 Amperios, 1000 VoltiosON Semiconductor
31268MTW10N100E-DMosfet De la Energía 10 Amperios, 1000 Voltios De N-Canal To-247ON Semiconductor
31269MTW14N50EOBSOLETO - MOSFET de potencia 14 A, 500 V, N-Channel TO-247ON Semiconductor
31270MTW14N50E-DMosfet De la Energía 14 Amperios, 500 Voltios De N-Canal To-247ON Semiconductor
31271MTW16N40EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 16 Amperios, 400 VoltiosON Semiconductor
31272MTW16N40E-DMosfet De la Energía 16 Amperios, 400 Voltios De N-Canal To-247ON Semiconductor
31273MTW20N50EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 20 Amperios, 500 VoltiosON Semiconductor
31274MTW20N50E-DMosfet De la Energía 20 Amperios, 500 Voltios De N-Canal To-247ON Semiconductor
31275MTW24N40EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 24 Amperios, 400 VoltiosON Semiconductor
31276MTW24N40E-DMosfet De la Energía 24 Amperios, 400 Voltios De N-Canal To-247ON Semiconductor



31277MTW32N20EMosfet De la Energía 32 Amperios, 200 VoltiosON Semiconductor
31278MTW32N20E-DMosfet De la Energía 32 Amperios, 200 Voltios De N-Canal To-247ON Semiconductor
31279MTW32N25EMosfet De la Energía 32 Amperios, 250 VoltiosON Semiconductor
31280MTW32N25E-DMosfet De la Energía 32 Amperios, 250 Voltios De N-Canal To-247ON Semiconductor
31281MTW35N15EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 35 Amperios, 150 VoltiosON Semiconductor
31282MTW35N15E-DMosfet De la Energía 35 Amperios, 150 Voltios De N-Canal To-247ON Semiconductor
31283MTW45N10E-DMosfet De la Energía 45 Amperios, 100 VoltiosON Semiconductor
31284MTW6N100EMosfet De la Energía 6 Amperios, 1000 VoltiosON Semiconductor
31285MTW6N100E-DMosfet De la Energía 6 Amperios, 1000 VoltiosON Semiconductor
31286MTW7N80EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 7 Amperios, 800 VoltiosON Semiconductor
31287MTW7N80E-DMosfet De la Energía 7 Amperios, 800 VoltiosON Semiconductor
31288MTW8N60EFet de la ENERGÍA de TMOS 8,0 AMPERIOS 600 VOLTIOS De RDS(on) = 0,55 OHMIOSON Semiconductor
31289MTW8N60E-DMosfet De la Energía 8 Amperios, 600 Voltios De N-Canal To-247ON Semiconductor
31290MTY100N10EMosfet De la Energía 100 Amperios, 100 VoltiosON Semiconductor
31291MTY100N10E-DMosfet De la Energía 100 Amperios, 100 VoltiosON Semiconductor
31292MTY14N100EN-Canal Del Realce-Modo de Silicon PuertaON Semiconductor
31293MTY14N100E-DPuerta De Silicio Del Modo Del Realce Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
31294MTY16N80EN-Canal Del Realce-Modo de Silicon PuertaON Semiconductor
31295MTY16N80E-DTransistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
31296MTY20N50EMosfet De la Energía 20 Amperios, 500 VoltiosON Semiconductor
31297MTY20N50E-DMosfet De la Energía 20 Amperios, 500 VoltiosON Semiconductor
31298MTY25N60EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 25 Amperios, 600 VoltiosON Semiconductor
31299MTY25N60E-DMosfet De la Energía 25 Amperios, 600 VoltiosON Semiconductor
31300MTY30N50EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 30 Amperios, 500 VoltiosON Semiconductor

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