|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:

Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Les fiches techniques ont trouvé :: 284

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
201	M57160AL	IC D'HYBRIDE DE MODULE D'IGBT	Isahaya Electronics Corporation
202	M57182N-315	CONVERTISSEUR NON ISOLÉ DE DC-DC	Isahaya Electronics Corporation
203	M57182N-416	CI hybride. Non isolée convertisseur DC-DC. plage de tension d'entrée DC 180V-450V. Caractéristiques de sortie 16V, 300mA.	Isahaya Electronics Corporation
204	M57183N-316	CI hybride. Non isolée convertisseur DC-DC. plage de tension d'entrée DC 110V-180V. Caractéristiques de sortie 15V, 100mA; 5V, 350mA.	Isahaya Electronics Corporation
205	M57184N-715A	CI hybride. Non isolée convertisseur DC-DC. plage de tension d'entrée DC 220V-360V. Caractéristiques de sortie 15V, 350mA; 5V, 200mA.	Isahaya Electronics Corporation
206	M57959AL-01	IC D'HYBRIDE DE PORTE DE MODULE D'IGBT	Isahaya Electronics Corporation
207	M57962AL	IC DE LGBT	Isahaya Electronics Corporation
208	M57962AL-01	IC DE LGBT	Isahaya Electronics Corporation
209	MC2831	Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
210	MC2832	Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
211	MC2833	Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
212	MC2834	Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
213	MC2835	Petite diode de signal. Pour l'application générale de commutation. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 35 V.	Isahaya Electronics Corporation
214	MC2836	Petite diode de signal. Pour l'application générale de commutation. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
215	MC2837	Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 85 V.	Isahaya Electronics Corporation
216	MC2838	Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
217	MC2839	Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 85 V.	Isahaya Electronics Corporation
218	MC2840	Petite diode de signal. Pour l'application générale de commutation. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 35 V.	Isahaya Electronics Corporation
219	MC2841	POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DE COMMUTATION DE SILICIUM À GRANDE VITESSE D'APPLICATION	Isahaya Electronics Corporation
220	MC2841	POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DE COMMUTATION DE SILICIUM À GRANDE VITESSE D'APPLICATION	Isahaya Electronics Corporation
221	MC2842	MC2842	Isahaya Electronics Corporation
222	MC2842	MC2842	Isahaya Electronics Corporation
223	MC2843	MC2843	Isahaya Electronics Corporation
224	MC2843	MC2843	Isahaya Electronics Corporation
225	MC2844	Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
226	MC2845	Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 35 V.	Isahaya Electronics Corporation

227	MC2846	Petite diode de signal. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
228	MC2848	POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DE COMMUTATION DE SILICIUM À GRANDE VITESSE D'APPLICATION	Isahaya Electronics Corporation
229	MC2848	POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DE COMMUTATION DE SILICIUM À GRANDE VITESSE D'APPLICATION	Isahaya Electronics Corporation
230	MC2850	Petite diode de signal. Pour l'application générale de commutation. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 35 V.	Isahaya Electronics Corporation
231	MC2852	Diode. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
232	MC2854	Diode. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
233	MC961	Diode. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
234	MC971	Pour La Cathode Épitaxiale De Type(Common De Swiching De Silicium Àgrande vitesse D'Application)	Isahaya Electronics Corporation
235	MC971	Pour La Cathode Épitaxiale De Type(Common De Swiching De Silicium Àgrande vitesse D'Application)	Isahaya Electronics Corporation
236	MC981	Diode. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V.	Isahaya Electronics Corporation
237	MC982	Diode. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 35 V.	Isahaya Electronics Corporation
238	RT1N137L	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
239	RT1N137P	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
240	RT1N141C	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
241	RT1N141M	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
242	RT1N141S	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
243	RT1N141T	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
244	RT1N141U	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
245	RT1N431C	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
246	RT1N431M	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
247	RT1N431S	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
248	RT1N431T	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
249	RT1N431U	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon NPN type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation
250	RT1P137L	Transistor à résistance pour la commutation application. Silicon PNP type épitaxiale.	Isahaya Electronics Corporation

Page: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/isahayaelectronicscorporation/1/