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No.	Nome della parte	Descrizione	Fabbricatore
1	-7L	536870912-bit (8388608 - WORD DA 64-BCIcT)SYNCHRONOUSCDcRcAcM	Mitsubishi Electric Corporation
2	-8	536870912-bit (8388608 - WORD DA 64-BCIcT)SYNCHRONOUSCDcRcAcM	Mitsubishi Electric Corporation
3	-8L	536870912-bit (8388608 - WORD DA 64-BCIcT)SYNCHRONOUSCDcRcAcM	Mitsubishi Electric Corporation
4	0-1462000-1	2 relè del palo telecom/signal attraverso il tipo del foro (THT) Non-polarized. cheaggancia 1 bobina	Tyco Electronics
5	0-1462000-7	2 relè del palo telecom/signal attraverso il tipo del foro (THT) Non-polarized. cheaggancia 1 bobina	Tyco Electronics
6	0002	ALTA VELOCITÀ, AMPLIFICATORE AMPÈRE DELL'AMPLIFICATORE	M.S. Kennedy Corp.
7	0032	ALTA VELOCITÀ, DIFFERENZIALE OP-AMP DELL'INPUT DEL FET	M.S. Kennedy Corp.
8	0033	AMPLIFICATORE AD ALTA VELOCITÀ DI TENSIONE IMMESSO FET FOLLOWER/BUFFER	M.S. Kennedy Corp.
9	01-XC6206	XC6206	Torex Semiconductor
10	0100MS	Schermo Magnetico	Texas Instruments
11	0104-100	100 W, 28 V, 100-400 MHz, transistore equilibrata	Acrian
12	0104-100	100 W, 28 V, 100-400 MHz transistor ad emettitore comune	GHz Technology
13	0104-100-2	100 W, 28 V, 100-400 MHz, transistore equilibrata	Acrian
14	0105-100	100 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF transistor equilibrata	Acrian
15	0105-100	100 W, 28 V, 100-500 MHz transistor ad emettitore comune	GHz Technology
16	0105-100-2	100 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF transistor equilibrata	Acrian
17	0105-100-3	100 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF transistor equilibrata	Acrian
18	0105-12	12 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF equilibrato transistor	Acrian
19	0105-12	12 W, 28 V, 100-500 MHz transistor ad emettitore comune	GHz Technology

20	0105-12-2	12 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF equilibrato transistor	Acrian
21	0105-50	50 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF equilibrato transistor	Acrian
22	0105-50	50 W, 28 V, 100-500 MHz transistor ad emettitore comune	GHz Technology
23	0105-50-2	50 W, 28 V, 100-500 MHz, UHF equilibrato transistor	Acrian
24	015A2.0	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
25	015A2.2	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
26	015A2.4	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
27	015A2.7	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
28	015A3.0	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
29	015A3.3	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
30	015A3.6	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
31	015A3.9	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
32	015A4.3	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
33	015A4.7	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
34	015A5.1	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
35	015A5.6	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
36	015A6.2	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
37	015A6.8	Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
38	015AZ10	Applicazioni Costanti Di Regolazione Di Tensione Del Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo	TOSHIBA
39	015AZ10-X	Diodo al silicio per applicazioni di regolazione della tensione costante	TOSHIBA
40	015AZ10-Y	Diodo al silicio per applicazioni di regolazione della tensione costante	TOSHIBA

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