| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 1029641 | Q62702-D1103 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI NPN | Siemens |
| 1029642 | Q62702-D1103 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI PNP | Siemens |
| 1029643 | Q62702-D1104 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI NPN | Siemens |
| 1029644 | Q62702-D1104 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI PNP | Siemens |
| 1029645 | Q62702-D1105 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI NPN | Siemens |
| 1029646 | Q62702-D1105 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI PNP | Siemens |
| 1029647 | Q62702-D1106 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI NPN | Siemens |
| 1029648 | Q62702-D1106 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI PNP | Siemens |
| 1029649 | Q62702-D1107 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI NPN | Siemens |
| 1029650 | Q62702-D1107 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI PNP | Siemens |
| 1029651 | Q62702-D111 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 1029652 | Q62702-D111-P | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 1029653 | Q62702-D111-V1 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 1029654 | Q62702-D111-V2 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 1029655 | Q62702-D1258 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera media bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029656 | Q62702-D1259 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera media bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029657 | Q62702-D1262 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera bassa bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029658 | Q62702-D1263 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera bassa bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029659 | Q62702-D1264 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera bassa bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029660 | Q62702-D1267 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera media bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029661 | Q62702-D1268 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera media bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029662 | Q62702-D1271 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera bassa bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029663 | Q62702-D1272 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera bassa bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029664 | Q62702-D1275 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera media bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029665 | Q62702-D1276 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera media bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029666 | Q62702-D1279 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera bassa bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029667 | Q62702-D1280 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera bassa bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029668 | Q62702-D1281 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera bassa bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029669 | Q62702-D1284 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera media bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029670 | Q62702-D1285 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera media bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029671 | Q62702-D1288 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera bassa bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029672 | Q62702-D1289 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera bassa bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029673 | Q62702-D1290 | Diodi dello Schottky del silicone (barriera bassa bassa di rendimento elevato di dimensione di tecnologia del cavo di fascio) | Siemens |
| 1029674 | Q62702-D1316 | Diodi dello Schottky del silicone (per low-loss, veloce-recupero, protezione del tester, isolamento diagonale e le applicazioni di pressione) | Siemens |
| 1029675 | Q62702-D1321 | Diodi dello Schottky del silicone (per low-loss, veloce-recupero, protezione del tester, isolamento diagonale e le applicazioni di pressione) | Siemens |
| 1029676 | Q62702-D1322 | Diodi dello Schottky del silicone (per low-loss, veloce-recupero, protezione del tester, isolamento diagonale e le applicazioni di pressione) | Siemens |
| 1029677 | Q62702-D1323 | Diodi dello Schottky del silicone (per low-loss, veloce-recupero, protezione del tester, isolamento diagonale e le applicazioni di pressione) | Siemens |
| 1029678 | Q62702-D1335 | Transistori di alimentazione di AF del silicone di NPN (per i driver di AF e guadagno corrente della corrente di collettore delle fasi dell'uscita l'alto alto) | Siemens |
| 1029679 | Q62702-D1336 | Transistore di alimentazione di AF del silicone di PNP (per i driver di AF e guadagno corrente della corrente di collettore delle fasi dell'uscita l'alto alto) | Siemens |
| 1029680 | Q62702-D1337 | Transistori di alimentazione di AF del silicone di NPN (per i driver di AF e guadagno corrente della corrente di collettore delle fasi dell'uscita l'alto alto) | Siemens |
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