No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
1198161 | TC58V64BFT | BIT di 64-mbit (8M x 8) CMOS NAND E2PROM | TOSHIBA |
1198162 | TC59 | Il TC59 č un'interruzione procedura bassa, stabilizzatore di tensione negativo dell'uscita progettato specificamente per i sistemi a pile. La relativa costruzione completa di CMOS elimina la corrente al suolo sprecata tipica di LDOs bipol | Microchip |
1198163 | TC593002ECB | Interruzione procedura Bassa, Stabilizzatore di tensione Negativo Dell'Uscita | Microchip |
1198164 | TC593002ECB | Interruzione procedura Bassa, Stabilizzatore di tensione Negativo Dell'Uscita | Microchip |
1198165 | TC593002ECBTR | Bassa caduta di tensione, regolatore di tensione di uscita negativa, tensione di uscita 3.0V | Microchip |
1198166 | TC595002ECB | Interruzione procedura Bassa, Stabilizzatore di tensione Negativo Dell'Uscita | Microchip |
1198167 | TC595002ECB | Interruzione procedura Bassa, Stabilizzatore di tensione Negativo Dell'Uscita | Microchip |
1198168 | TC595002ECBTR | Bassa caduta di tensione, regolatore di tensione di uscita negativa, tensione di uscita 5.0V | Microchip |
1198169 | TC59LM806CFT | Rete FCRAM TM | TOSHIBA |
1198170 | TC59LM806CFT-50 | rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
1198171 | TC59LM806CFT-55 | rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
1198172 | TC59LM806CFT-60 | rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
1198173 | TC59LM806CFTI | Rete FCRAM TM | TOSHIBA |
1198174 | TC59LM814CFT | Rete FCRAM TM | TOSHIBA |
1198175 | TC59LM814CFT-50 | rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
1198176 | TC59LM814CFT-55 | rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
1198177 | TC59LM814CFT-60 | rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS | TOSHIBA |
1198178 | TC59LM814CFTI | Rete FCRAM TM | TOSHIBA |
1198179 | TC59LM818DMB | Rete FCRAM TM | TOSHIBA |
1198180 | TC59LM818DMBI | Rete FCRAM TM | TOSHIBA |
1198181 | TC59LM836DKB | Rete FCRAM TM | TOSHIBA |
1198182 | TC59LM905AMB | Rete FCRAM TM | TOSHIBA |
1198183 | TC59LM906AMG | Rete FCRAM TM | TOSHIBA |
1198184 | TC59LM913AMB | Rete FCRAM TM | TOSHIBA |
1198185 | TC59LM914AMG | Rete FCRAM TM | TOSHIBA |
1198186 | TC59S6404 | SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICO | TOSHIBA |
1198187 | TC59S6404 | SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICO | TOSHIBA |
1198188 | TC59S6404BFT | SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICO | TOSHIBA |
1198189 | TC59S6404BFT | SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICO | TOSHIBA |
1198190 | TC59S6404BFT-10 | SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICO | TOSHIBA |
1198191 | TC59S6404BFT-10 | SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICO | TOSHIBA |
1198192 | TC59S6404BFT-80 | SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICO | TOSHIBA |
1198193 | TC59S6404BFT-80 | SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICO | TOSHIBA |
1198194 | TC59S6404BFT/BFTL-80 | RAM DINAMICA SINCRONA Di 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT S | TOSHIBA |
1198195 | TC59S6404BFT/BFTL-80 | RAM DINAMICA SINCRONA Di 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT S | TOSHIBA |
1198196 | TC59S6404BFT/BFTL10 | RAM DINAMICA SINCRONA Di 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT S | TOSHIBA |
1198197 | TC59S6404BFT/BFTL10 | RAM DINAMICA SINCRONA Di 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT S | TOSHIBA |
1198198 | TC59S6404BFTL | SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICO | TOSHIBA |
1198199 | TC59S6404BFTL | SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICO | TOSHIBA |
1198200 | TC59S6404BFTL-10 | 4.194.304 parole x 4BANKS x 4 bit sincrono RAM dinamica | TOSHIBA |
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