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| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 13121 | 1MBI400NB-120 | Modulo di IGBT | Fuji Electric |
| 13122 | 1MBI400NN-120 | MODULO di IGBT (serie di N) | Fuji Electric |
| 13123 | 1MBI400NP-120 | MODULO di IGBT (serie di N) | Fuji Electric |
| 13124 | 1MBI50L-060 | MODULO di IGBT (L serie) | Fuji Electric |
| 13125 | 1MBI600LN-060 | MODULO DI IGBT | Fuji Electric |
| 13126 | 1MBI600LP-060 | MODULO DI IGBT | Fuji Electric |
| 13127 | 1MBI600NN-060 | MODULO di IGBT (serie di N) | Fuji Electric |
| 13128 | 1MBI600NP-060 | MODULO di IGBT (serie di N) | Fuji Electric |
| 13129 | 1MBI600PX-120 | MODULO DI IGBT | Fuji Electric |
| 13130 | 1MBI600PX-120-01 | Modulo di IGBT | Fuji Electric |
| 13131 | 1MBI600PX-120-03 | Modulo di IGBT | Fuji Electric |
| 13132 | 1MBI600PX-120-031 | Modulo IGBT | Fuji Electric |
| 13133 | 1MBI600PX-140 | MODULO DI IGBT | Fuji Electric |
| 13134 | 1MBI600PX-140-03 | MODULO DI IGBT | Fuji Electric |
| 13135 | 1MBI600S-120 | MODULO 1GBT | Fuji Electric |
| 13136 | 1MBI75L-060 | IGBT MODULE(L serie) | Fuji Electric |
| 13137 | 1MBI800PN-180 | Moduli ad alta velocitŕ di commutazione IGBT di perdita bassa | Fuji Electric |
| 13138 | 1N100 | Ottimizzato per la risposta di frequenza radiofonica | Microsemi |
| 13139 | 1N100 | 100 V, 500 mA, oro legato diodo al germanio | BKC International Electronics |
| 13140 | 1N100A | Diodo Del Germanio | Microsemi |
| 13141 | 1N100A | 100 V, 250 mA, oro legato diodo al germanio | BKC International Electronics |
| 13142 | 1N102 | 125 V, 500 mA, oro legato diodo al germanio | BKC International Electronics |
| 13143 | 1N103 | 12 V, 500 mA, oro legati diodo al germanio | BKC International Electronics |
| 13144 | 1N104 | 12 V, 500 mA, oro legati diodo al germanio | BKC International Electronics |
| 13145 | 1N1064 | Raddrizzatore standard (trr piů di 500ns) | Microsemi |
| 13146 | 1N1065 | Raddrizzatore standard (trr piů di 500ns) | Microsemi |
| 13147 | 1N1066 | Raddrizzatore standard (trr piů di 500ns) | Microsemi |
| 13148 | 1N1067 | Raddrizzatore standard (trr piů di 500ns) | Microsemi |
| 13149 | 1N1068 | Raddrizzatore standard (trr piů di 500ns) | Microsemi |
| 13150 | 1N1069 | Raddrizzatore standard (trr piů di 500ns) | Microsemi |
| 13151 | 1N107 | 10 V, 500 mA, oro legati diodo al germanio | BKC International Electronics |
| 13152 | 1N108 | 50 V, 500 mA, oro legato diodo al germanio | BKC International Electronics |
| 13153 | 1N1084 | Cartuccia Del Silicone | EDAL Industries |
| 13154 | 1N111 | 70 V, 500 mA, oro legato diodo al germanio | BKC International Electronics |
| 13155 | 1N1119 | Raddrizzatore Di Alimentazione Del Silicone | Microsemi |
| 13156 | 1N1119 | Raddrizzatore Di Alimentazione Del Silicone | Microsemi |
| 13157 | 1N1119A | 12A silicio raddrizzatore di potenza, 50V | Microsemi |
| 13158 | 1N1119AR | 12A silicio raddrizzatore di potenza, 50V | Microsemi |
| 13159 | 1N1119B | 12A silicio raddrizzatore di potenza, 50V | Microsemi |
| 13160 | 1N1119R | 12A silicio raddrizzatore di potenza, 50V | Microsemi |
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