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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
250241BC448TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPContinental Device India Limited
250242BC448ATRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPContinental Device India Limited
250243BC448ATRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPContinental Device India Limited
250244BC448BTRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPContinental Device India Limited
250245BC448BTRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPContinental Device India Limited
250246BC449Transistori Ad alta tensioneON Semiconductor
250247BC449V (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (ebo): 5V; tensione di NPN transistor al silicioMotorola
250248BC449ATransistori Ad alta tensioneON Semiconductor
250249BC449AV (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (ebo): 5V; tensione di NPN transistor al silicioMotorola
250250BC449BV (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (ebo): 5V; tensione di NPN transistor al silicioMotorola
250251BC450TRANSISTORE DEL SILICONE DI PNPMicro Electronics
250252BC450Transistori Ad alta tensioneMotorola
250253BC450Scopo 0.625W generale PNP Transistor plastica piombo. 100V Vceo, 0.300A Ic, 50-220 hFEContinental Device India Limited
250254BC450ATransistori Ad alta tensioneMotorola
250255BC450AScopo 0.625W generale PNP Transistor plastica piombo. 100V Vceo, 0.300A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited
250256BC450BTRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPContinental Device India Limited
250257BC450BTRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPContinental Device India Limited
250258BC460AMPLIFICATORI ED INTERRUTTORI DI ALIMENTAZIONE MEDI DI AF DEL SILICONEMicro Electronics
250259BC460Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor



250260BC46010.000W uso generale di PNP Transistor metallo Can. 40V Vceo, A Ic, 40 - 250 hFE.Continental Device India Limited
250261BC461AMPLIFICATORI ED INTERRUTTORI DI ALIMENTAZIONE MEDI DI AF DEL SILICONEMicro Electronics
250262BC461Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
250263BC46110.000W uso generale di PNP Transistor metallo Can. 60V Vceo, A Ic, 40 - 250 hFE.Continental Device India Limited
250264BC477Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
250265BC477AMPLIFICATORI AUDIO PER TUTTI GLI USI PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE BASSOST Microelectronics
250266BC4771.200W Uso generale di PNP metallo puň transistor. Vceo 80V, 0.100A Ic, 30 hFE.Continental Device India Limited
250267BC477ft min 100 MHz hfe min 50 Polaritŕ transistor PNP corrente Ic continuo max 0,15 A Tensione VCBO 90 V Tensione Vceo 80 V corrente Ic (HFE) 2 mA Potenza Ptot 360 mWSGS Thomson Microelectronics
250268BC478AMPLIFICATORI AUDIO PER TUTTI GLI USI PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE BASSOST Microelectronics
250269BC478Low Noise AMPLIFICATORI USO GENERALE AUDIOSGS Thomson Microelectronics
250270BC478BDispositivo bipolare di PNP in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO18.SemeLAB
250271BC478BDispositivo bipolare di PNP in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO18.SemeLAB
250272BC479AMPLIFICATORI AUDIO PER TUTTI GLI USI PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE BASSOST Microelectronics
250273BC479Low Noise AMPLIFICATORI USO GENERALE AUDIOSGS Thomson Microelectronics
250274BC485TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI NPNMicro Electronics
250275BC486TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPMicro Electronics
250276BC487TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI NPNMicro Electronics
250277BC487Alti transistor attualiON Semiconductor
250278BC488TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPMicro Electronics
250279BC488BAlti transistor attualiON Semiconductor
250280BC489TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI NPNMicro Electronics
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