|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 6279 | 6280 | 6281 | 6282 | 6283 | 6284 | 6285 | 6286 | 6287 | 6288 | 6289 | >>
No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
251321BC817-25WDiscreti - transistor bipolari - Transistor (BJT) master Tabella - transistor 30V a 50VDiodes
251322BC817-40Transistore di uso generale di NPNPhilips
251323BC817-40Amplificatore Di Uso generale di NPNNational Semiconductor
251324BC817-40Amplificatore Di Uso generale di NPNFairchild Semiconductor
251325BC817-40PICCOLO TRANSISTORE DEL SEGNALE NPNST Microelectronics
251326BC817-40TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE MEDI PLANARI DEL SILICONE DI SOT23 NPNZetex Semiconductors
251327BC817-40Transistori BipolariDiodes
251328BC817-40Transistori per tutti gli usi - transistore di AF del silicone di NPN per le applicazioni generali di AFInfineon
251329BC817-40PICCOLO TRANSISTORE DEL SEGNALE NPNSGS Thomson Microelectronics
251330BC817-40Transistori di Af Del Silicone di NPNSiemens
251331BC817-40Piccolo Transistore 310mW Del Segnale di NPNMicro Commercial Components
251332BC817-40Transistori, Rf & AfVishay
251333BC817-40Supporto di superficie PlanarTransistors Silicone-EpitassialeDiotec Elektronische
251334BC817-40TRANSISTORE DEL SEGNALE DEL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DI NPN PICCOLOTRSYS
251335BC817-4045 V, 500 mA NPN transistor general-purposeNXP Semiconductors
251336BC817-40Scopo 0.250W generale NPN Transistor SMD. 45V Vceo, nominale 0,500A Ic, 250-600 hFE. BC807-40 complementareContinental Device India Limited
251337BC817-40Piccolo segnale Transistor (NPN)General Semiconductor
251338BC817-40Ic = 800mA, Vce = transistor 1.0VMCC
251339BC817-40Montaggio superficiale NPN transistor piccolo segnaleTRANSYS Electronics Limited



251340BC817-40-7TRANSISTORE DEL SEGNALE DEL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DI NPN PICCOLODiodes
251341BC817-40-7-FBipolar TransistorDiodes
251342BC817-40-GTransistor impieghi generali, V CBO = 50V, V CEO = 45V, V EBO = 5V, ho Ç = 0.5AComchip Technology
251343BC817-40LPlastica Del Transistore Del SiliconeON Semiconductor
251344BC817-40LT1Silicone Per tutti gli usi Di Transistors(NPN)Leshan Radio Company
251345BC817-40LT1IL CASO 318-08, DESIGNA 6 SOT-23 (TO-23ãb)Motorola
251346BC817-40LT1Plastica Del Transistore Del SiliconeON Semiconductor
251347BC817-40LT1GPlastica Del Transistore Del SiliconeON Semiconductor
251348BC817-40LT3Plastica Del Transistore Del SiliconeON Semiconductor
251349BC817-40Q-13-FBipolar TransistorDiodes
251350BC817-40Q-7-FBipolar TransistorDiodes
251351BC817-40QA45 V, 500 mA NPN transistor general-purposeNXP Semiconductors
251352BC817-40WTransistore di uso generale di NPNPhilips
251353BC817-40WTransistore di AF del silicone di NPN (per alto guadagno corrente della corrente di collettore di applicazioni generali di AF alto)Siemens
251354BC817-40WSingoli transistori di AF per le applicazioni per tutti gli usiInfineon
251355BC817-40W45 V, 500 mA NPN transistor general-purposeNXP Semiconductors
251356BC817-40WDiscreti - transistor bipolari - Transistor (BJT) master Tabella - transistor 30V a 50VDiodes
251357BC817-40W-7Discreti - transistor bipolari - Transistor (BJT) master Tabella - transistor 30V a 50VDiodes
251358BC81716TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE MEDI PLANARI DEL SILICONE DI SOT23 NPNZetex Semiconductors
251359BC81716LT1IL CASO 318-08, DESIGNA 6 SOT-23 (TO-23ãb)Motorola
251360BC81716MTFTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 6279 | 6280 | 6281 | 6282 | 6283 | 6284 | 6285 | 6286 | 6287 | 6288 | 6289 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com