No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
257601 | BD616LV4017EC-55 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257602 | BD616LV4017EC-70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257603 | BD616LV4017EC-70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257604 | BD616LV4017ECG55 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257605 | BD616LV4017ECG55 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257606 | BD616LV4017ECG70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257607 | BD616LV4017ECG70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257608 | BD616LV4017ECP55 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257609 | BD616LV4017ECP55 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257610 | BD616LV4017ECP70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257611 | BD616LV4017ECP70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257612 | BD616LV4017EI-55 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257613 | BD616LV4017EI-55 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257614 | BD616LV4017EI-70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257615 | BD616LV4017EI-70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257616 | BD616LV4017EIG55 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257617 | BD616LV4017EIG55 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257618 | BD616LV4017EIG70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257619 | BD616LV4017EIG70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257620 | BD616LV4017EIP55 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257621 | BD616LV4017EIP55 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257622 | BD616LV4017EIP70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257623 | BD616LV4017EIP70 | Bit molto basso 16 di Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257624 | BD617 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI NPN | Siemens |
257625 | BD617 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI PNP | Siemens |
257626 | BD618 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI PNP | Siemens |
257627 | BD619 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI NPN | Siemens |
257628 | BD619 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI PNP | Siemens |
257629 | BD620 | TRANSISTORI DEL SILICONE EPIBASE DI PNP | Siemens |
257630 | BD621 | PNP transistore di alta tensione. | Philips |
257631 | BD623 | PNP transistore di alta tensione. | Philips |
257632 | BD643 | Tranzystor malej czestotliwosci duzej mocy | Ultra CEMI |
257633 | BD643 | TRANSISTORI DEL SILICONE DARLINGTON DI NPN | Siemens |
257634 | BD643 | TRANSISTORI DEL SILICONE DARLINGTON DI PNP | Siemens |
257635 | BD643 | 8 transistor di potenza Un NPN Darlington. 45 V. 70 W. guadagno di 750 a 3 A. | General Electric Solid State |
257636 | BD644 | Tranzystor malej czestotliwosci duzej mocy | Ultra CEMI |
257637 | BD644 | TRANSISTORI DEL SILICONE DARLINGTON DI PNP | Siemens |
257638 | BD644 | TRANSISTORI DEL SILICONE DARLINGTON DI NPN | Siemens |
257639 | BD644 | 60V silicio NPN transistor di potenza daelington | Comset Semiconductors |
257640 | BD645 | Tranzystor malej czestotliwosci duzej mocy | Ultra CEMI |
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