No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
259201 | BF472 | Transistori ad alta tensione di PNP | Philips |
259202 | BF472 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
259203 | BF472 | 2.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. 300V Vceo, 0.030A Ic, 50 hFE. Complementare BF471 | Continental Device India Limited |
259204 | BF483 | Transistori ad alta tensione di NPN | Philips |
259205 | BF485 | Transistori ad alta tensione di NPN | Philips |
259206 | BF485PN | Transistori di alta tensione di NPN/pnp | Philips |
259207 | BF487 | Transistori ad alta tensione di NPN | Philips |
259208 | BF488 | Transistore ad alta tensione di PNP | Philips |
259209 | BF491 | TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
259210 | BF492 | TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
259211 | BF493 | TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
259212 | BF493S | Transistor(PNP) Ad alta tensione | Motorola |
259213 | BF493S | Plastica PNP Del Silicone Del Transistore | ON Semiconductor |
259214 | BF493S-D | Silicone Ad alta tensione Del Transistore PNP | ON Semiconductor |
259215 | BF493SRL1 | Alta Tensione Transistor PNP | ON Semiconductor |
259216 | BF493SZL1 | Alta Tensione Transistor PNP | ON Semiconductor |
259217 | BF494 | TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI NPN | Micro Electronics |
259218 | BF494 | Transistori medi di frequenza di NPN | Philips |
259219 | BF494 | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 20V, 0.030A Ic, 67-220 hFE | Continental Device India Limited |
259220 | BF494A | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 20V, 0.030A Ic, 200-500 hFE | Continental Device India Limited |
259221 | BF494B | Transistori medi di frequenza di NPN | Philips |
259222 | BF494B | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 20V, 0.030A Ic, 100-220 hFE | Continental Device India Limited |
259223 | BF495 | TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI NPN | Micro Electronics |
259224 | BF495 | Transistori medi di frequenza di NPN | Philips |
259225 | BF495 | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 20V, 0.030A Ic, 35-125 hFE | Continental Device India Limited |
259226 | BF495B | Transistori medi di frequenza di NPN | Philips |
259227 | BF495C | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 20V, 0.030A Ic, 65-135 hFE | Continental Device India Limited |
259228 | BF495D | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 20V, 0.030A Ic, 35-76 hFE | Continental Device India Limited |
259229 | BF502 | TRANSISTORE DEL SILICONE RF DI NPN | Siemens |
259230 | BF503 | TRANSISTORE DEL SILICONE RF DI NPN | Siemens |
259231 | BF505 | TRANSISTORE DEL SILICONE RF DI NPN | Siemens |
259232 | BF506 | Transistore Del Silicone Rf di PNP | Infineon |
259233 | BF506 | Transistore del silicone rf di PNP (per le fasi del miscelatore e dell'oscillatore di VHF) | Siemens |
259234 | BF507 | TRANSISTORE DEL SILICONE RF DI NPN | Siemens |
259235 | BF510 | transistori di field-effect del silicone della N-scanalatura | Philips |
259236 | BF510 | N-FET canale silicio | NXP Semiconductors |
259237 | BF511 | transistori di field-effect del silicone della N-scanalatura | Philips |
259238 | BF511 | N-FET canale silicio | NXP Semiconductors |
259239 | BF512 | transistori di field-effect del silicone della N-scanalatura | Philips |
259240 | BF512 | N-FET canale silicio | NXP Semiconductors |
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