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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
286361C106D4A-sensitive cancello raddrizzatore controllato al silicio. Vrrm 400V.General Electric Solid State
286362C106DRaddrizzatore controllato al silicio inversa bloccando tiristore triodoMotorola
286363C106D1SCR Al piombo Del TiristoreCentral Semiconductor
286364C106D1Raddrizzatore Controllato Del Silicone Sensibile Del CancelloON Semiconductor
286365C106E4A-sensitive cancello raddrizzatore controllato al silicio. Vrrm 500V.General Electric Solid State
286366C106E1SCR Al piombo Del TiristoreCentral Semiconductor
286367C106F4A-sensitive cancello raddrizzatore controllato al silicio. Vrrm 50V.General Electric Solid State
286368C106FRaddrizzatore controllato al silicio inversa bloccando tiristore triodoMotorola
286369C106MRaddrizzatore Controllato Del Silicone Sensibile Del CancelloON Semiconductor
286370C106M4A-sensitive cancello raddrizzatore controllato al silicio. Vrrm 600V.General Electric Solid State
286371C106MRaddrizzatore controllato al silicio inversa bloccando tiristore triodoMotorola
286372C106M1SCR Al piombo Del TiristoreCentral Semiconductor
286373C106M1Raddrizzatore Controllato Del Silicone Sensibile Del CancelloON Semiconductor
286374C106N4A-sensitive cancello raddrizzatore controllato al silicio. Vrrm 800V.General Electric Solid State
286375C106S4A-sensitive cancello raddrizzatore controllato al silicio. Vrrm 700V.General Electric Solid State
286376C108Numeri Di modello Precedenti Di VectronVectron
286377C10920FRFRD SI RADDOPPIANO DIODO - TERRENO COMUNALE DELL'ANODONihon
286378C10T03QLSBDNihon
286379C10T03QL-11ASBDNihon



286380C10T04Q-11ASBDNihon
286381C10T20FILLUSTRAZIONE DEL PROFILONihon
286382C10T40F400 V, diodo in 3-perni da impaccareNihon
286383C10T60FSQUARE-PAK, Diodi Doppi, Recupero Ultra Veloce, Differenza de potenziale Di andata BassaNihon
286384C1112TETRODO DI ALIMENTAZIONE DEL FASCIOetc
286385C1206CXXXCircuito integrato Di ceramica/CampioneKemet Corporation
286386C1206CXXXCondensatori Di ceramica A piů stratiVishay
286387C120P06QERettifica Ad alta frequenzaNihon
286388C1210Dispositivi Zero Trattati Della Soglia Di C1210 Cmos 1.2mmIMP Inc
286389C1210C102F2GACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
286390C1210C102J2GACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
286391C1210C102J5GACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
286392C1210C102K2GACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
286393C1210C102K5GACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
286394C1210C103G5GACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
286395C1210C103J1GACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
286396C1210C103J5GACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
286397C1210C103K1RACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
286398C1210C103K2RACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
286399C1210C103K5GACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
286400C1210C103M1RACCONDENSATORI DI CERAMICA DEL CIRCUITO INTEGRATOKemet Corporation
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