No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
45721 | 2N3866 | Transistori epitassiali planari della sovvrapposizione del silicone | Philips |
45722 | 2N3866 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
45723 | 2N3866 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | Advanced Semiconductor |
45724 | 2N3866 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE BASSI DISCRETI DI MICROONDA & DI RF | Microsemi |
45725 | 2N3866 | Polaritą 1007 Della Geometria Del Tipo 2C386Ć Del Circuito integrato NPN | Semicoa Semiconductor |
45726 | 2N3866A | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE BASSI DISCRETI DI MICROONDA & DI RF | Microsemi |
45727 | 2N3866A | Polaritą 1007 Della Geometria Del Tipo 2C386Ć Del Circuito integrato NPN | Semicoa Semiconductor |
45728 | 2N3866AF | Chip: geometria del 1007; polaritą NPN | Semicoa Semiconductor |
45729 | 2N3866AUB | Polaritą 1007 Della Geometria Del Tipo 2C386Ć Del Circuito integrato NPN | Semicoa Semiconductor |
45730 | 2N3867 | Transistore di PNP | Microsemi |
45731 | 2N3867 | Transistore di PNP | Microsemi |
45732 | 2N3867 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
45733 | 2N3867 | 1.000W Uso generale di PNP metallo puņ transistor. Vceo 40V, 3.000A Ic, 40-200 hFE. | Continental Device India Limited |
45734 | 2N3867S | Transistore di PNP | Microsemi |
45735 | 2N3868 | Transistore di PNP | Microsemi |
45736 | 2N3868 | Transistore di PNP | Microsemi |
45737 | 2N3868 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
45738 | 2N3868S | Transistore di PNP | Microsemi |
45739 | 2N3870 | Silicone Rectifiers(Reverse Controllato Che Ostruisce I Tiristori Del Triodo) | Motorola |
45740 | 2N3870 | 35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 150V. | General Electric Solid State |
45741 | 2N3871 | Silicone Rectifiers(Reverse Controllato Che Ostruisce I Tiristori Del Triodo) | Motorola |
45742 | 2N3871 | 35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 330V. | General Electric Solid State |
45743 | 2N3872 | Silicone Rectifiers(Reverse Controllato Che Ostruisce I Tiristori Del Triodo) | Motorola |
45744 | 2N3872 | 35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 660V. | General Electric Solid State |
45745 | 2N3873 | Silicone Rectifiers(Reverse Controllato Che Ostruisce I Tiristori Del Triodo) | Motorola |
45746 | 2N3873 | 35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 700V. | General Electric Solid State |
45747 | 2N3878 | TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITĄ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTORE | General Electric Solid State |
45748 | 2N3878 | TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITĄ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTORE | General Electric Solid State |
45749 | 2N3879 | Transistore di NPN | Microsemi |
45750 | 2N3879 | Alta velocitą, epitassiale di silicio collettore del transistor NPN planare. | General Electric Solid State |
45751 | 2N3884 | in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
45752 | 2N3884-2N3895 | in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
45753 | 2N3885 | in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
45754 | 2N3886 | in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
45755 | 2N3887 | in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
45756 | 2N3888 | in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
45757 | 2N3889 | in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
45758 | 2N3890 | in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
45759 | 2N3891 | in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
45760 | 2N3892 | in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
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