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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
457212N3866Transistori epitassiali planari della sovvrapposizione del siliconePhilips
457222N3866Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
457232N3866TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPNAdvanced Semiconductor
457242N3866TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE BASSI DISCRETI DI MICROONDA & DI RFMicrosemi
457252N3866Polaritą 1007 Della Geometria Del Tipo 2C386Ć Del Circuito integrato NPNSemicoa Semiconductor
457262N3866ATRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE BASSI DISCRETI DI MICROONDA & DI RFMicrosemi
457272N3866APolaritą 1007 Della Geometria Del Tipo 2C386Ć Del Circuito integrato NPNSemicoa Semiconductor
457282N3866AFChip: geometria del 1007; polaritą NPNSemicoa Semiconductor
457292N3866AUBPolaritą 1007 Della Geometria Del Tipo 2C386Ć Del Circuito integrato NPNSemicoa Semiconductor
457302N3867Transistore di PNPMicrosemi
457312N3867Transistore di PNPMicrosemi
457322N3867Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
457332N38671.000W Uso generale di PNP metallo puņ transistor. Vceo 40V, 3.000A Ic, 40-200 hFE.Continental Device India Limited
457342N3867STransistore di PNPMicrosemi
457352N3868Transistore di PNPMicrosemi
457362N3868Transistore di PNPMicrosemi
457372N3868Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
457382N3868STransistore di PNPMicrosemi
457392N3870Silicone Rectifiers(Reverse Controllato Che Ostruisce I Tiristori Del Triodo)Motorola



457402N387035A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 150V.General Electric Solid State
457412N3871Silicone Rectifiers(Reverse Controllato Che Ostruisce I Tiristori Del Triodo)Motorola
457422N387135A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 330V.General Electric Solid State
457432N3872Silicone Rectifiers(Reverse Controllato Che Ostruisce I Tiristori Del Triodo)Motorola
457442N387235A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 660V.General Electric Solid State
457452N3873Silicone Rectifiers(Reverse Controllato Che Ostruisce I Tiristori Del Triodo)Motorola
457462N387335A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 700V.General Electric Solid State
457472N3878TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITĄ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTOREGeneral Electric Solid State
457482N3878TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITĄ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTOREGeneral Electric Solid State
457492N3879Transistore di NPNMicrosemi
457502N3879Alta velocitą, epitassiale di silicio collettore del transistor NPN planare.General Electric Solid State
457512N3884in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 VoltPowerex Power Semiconductors
457522N3884-2N3895in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 VoltPowerex Power Semiconductors
457532N3885in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 VoltPowerex Power Semiconductors
457542N3886in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 VoltPowerex Power Semiconductors
457552N3887in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 VoltPowerex Power Semiconductors
457562N3888in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 VoltPowerex Power Semiconductors
457572N3889in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 VoltPowerex Power Semiconductors
457582N3890in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 VoltPowerex Power Semiconductors
457592N3891in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 VoltPowerex Power Semiconductors
457602N3892in media dell'cScr 175 Amoeres Di Controllo Di Fase 1200 VoltPowerex Power Semiconductors
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