| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 48321 | 2N6080 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (ebo): 4V; Transistor VHF comunicazioni | SGS Thomson Microelectronics |
| 48322 | 2N6081 | TRANSISTORI DI A MICROONDE & DI RF 130... APPLICAZIONI DEL MODULO DA 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48323 | 2N6081 | TRANSISTORI DI A MICROONDE & DI RF 130... APPLICAZIONI DEL MODULO DA 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48324 | 2N6081 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (ebo): 4V; Transistor VHF comunicazioni | SGS Thomson Microelectronics |
| 48325 | 2N6082 | Transistori Di Alimentazione Del Silicone Rf di NPN | Motorola |
| 48326 | 2N6082 | Transistore Di Comunicazioni di VHF | ST Microelectronics |
| 48327 | 2N6082 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (ebo): 4V; Transistor VHF comunicazioni | SGS Thomson Microelectronics |
| 48328 | 2N6083 | TRANSISTORI DI A MICROONDE & DI RF 130... APPLICAZIONI DEL MODULO DA 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48329 | 2N6083 | TRANSISTORI DI A MICROONDE & DI RF 130... APPLICAZIONI DEL MODULO DA 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48330 | 2N6083 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (ebo): 4V; Transistor VHF comunicazioni | SGS Thomson Microelectronics |
| 48331 | 2N6084 | TRANSISTORI DI A MICROONDE & DI RF 130... APPLICAZIONI DEL MODULO DA 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48332 | 2N6084 | TRANSISTORI DI A MICROONDE & DI RF 130... APPLICAZIONI DEL MODULO DA 230 MEGAHERTZ FM | Microsemi |
| 48333 | 2N6084 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (ebo): 4V; Transistor VHF comunicazioni | SGS Thomson Microelectronics |
| 48334 | 2N6099 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 48335 | 2N6101 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 48336 | 2N6101 | 75.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 70V Vceo, 10.000A Ic, 20 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48337 | 2N6103 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 48338 | 2N6106 | Epitassiale-base, SILICONE N-p-n E TRANSISTORI Di P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48339 | 2N6106 | Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -80V. | General Electric Solid State |
| 48340 | 2N6107 | TRANSISTORI DI COMMUTAZIONE DEL SILICONE PNP | ST Microelectronics |
| 48341 | 2N6107 | TRANSISTORI DI COMMUTAZIONE DEL SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48342 | 2N6107 | TRANSISTORI DI COMMUTAZIONE DEL SILICONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48343 | 2N6107 | ALIMENTAZIONE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48344 | 2N6107 | Epitassiale-base, SILICONE N-p-n E TRANSISTORI Di P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48345 | 2N6107 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 48346 | 2N6107 | Alimentazione 7A 70V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 48347 | 2N6107 | 40.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 70V, 7.000A Ic, 2 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48348 | 2N6107 | Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -80V. | General Electric Solid State |
| 48349 | 2N6107 | PNP transistor di potenza al silicio di plastica. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 70Vdc, Vcb = 80VDC, Veb = 5Vdc Ic = 7Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 48350 | 2N6107-D | Transistori Di Alimentazione Di plastica Del Silicone Complementare | ON Semiconductor |
| 48351 | 2N6108 | Epitassiale-base, SILICONE N-p-n E TRANSISTORI Di P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48352 | 2N6108 | Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -60V. | General Electric Solid State |
| 48353 | 2N6109 | ALIMENTAZIONE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48354 | 2N6109 | Epitassiale-base, SILICONE N-p-n E TRANSISTORI Di P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48355 | 2N6109 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 48356 | 2N6109 | Alimentazione 7A 50V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 48357 | 2N6109 | 40.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 50V, 7.000A Ic, 30-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48358 | 2N6109 | Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -60V. | General Electric Solid State |
| 48359 | 2N6110 | Epitassiale-base, SILICONE N-p-n E TRANSISTORI Di P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48360 | 2N6110 | Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -40V. | General Electric Solid State |
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