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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
492812N6759MOSFETs/5.Ä/350V/400v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
492822N6759Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A.General Electric Solid State
492832N6760400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âaInternational Rectifier
492842N6760MOSFETs/5.Ä/350V/400v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
492852N6760Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.5A.General Electric Solid State
492862N6761MOSFETs/4.Ä/450V/500v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
492872N6761Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State
492882N6762500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âaInternational Rectifier
492892N6762MOSFETs/4.Ä/450V/500v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
492902N6762Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A.General Electric Solid State
492912N6763MOSFETs/3Å/60V/100v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
492922N6764100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âeInternational Rectifier
492932N6764MOSFETs/3Å/60V/100v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
492942N6764Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 38A.General Electric Solid State
492952N6764N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFETOmnirel
492962N6765MOSFETs/30A/150V/200v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
492972N6766200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âeInternational Rectifier
492982N6766MOSFETs/30A/150V/200v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor



492992N6766Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 30A.General Electric Solid State
493002N6766N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFETOmnirel
493012N6767MOSFETs/1Ä/350V/400v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
493022N6768400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âeInternational Rectifier
493032N6768MOSFETs/1Ä/350V/400v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
493042N6768N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFETOmnirel
493052N6769MOSFETs/1À/450V/500v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
493062N6770500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âaInternational Rectifier
493072N6770MOSFETs/1À/450V/500v Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
493082N6770N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFETOmnirel
493092N678160 V, 06 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
493102N6782100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
493112N6782Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSemeLAB
493122N6782Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. 3,5 A, 100V.General Electric Solid State
493132N6782100 V, 06 ohm, a canale N enhancement modalità D-MOS FET di potenzaTopaz Semiconductor
493142N6782LCC4Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSemeLAB
493152N6784200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
493162N6786400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
493172N6786Mosfet della N-Scanalatura in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO39SemeLAB
493182N6788100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
493192N6788Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. 6.0 A, 100V.General Electric Solid State
493202N6790200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
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