No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
49281 | 2N6759 | MOSFETs/5.Ä/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49282 | 2N6759 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
49283 | 2N6760 | 400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa | International Rectifier |
49284 | 2N6760 | MOSFETs/5.Ä/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49285 | 2N6760 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
49286 | 2N6761 | MOSFETs/4.Ä/450V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49287 | 2N6761 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
49288 | 2N6762 | 500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa | International Rectifier |
49289 | 2N6762 | MOSFETs/4.Ä/450V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49290 | 2N6762 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
49291 | 2N6763 | MOSFETs/3Å/60V/100v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49292 | 2N6764 | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âe | International Rectifier |
49293 | 2N6764 | MOSFETs/3Å/60V/100v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49294 | 2N6764 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 38A. | General Electric Solid State |
49295 | 2N6764 | N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFET | Omnirel |
49296 | 2N6765 | MOSFETs/30A/150V/200v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49297 | 2N6766 | 200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âe | International Rectifier |
49298 | 2N6766 | MOSFETs/30A/150V/200v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49299 | 2N6766 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
49300 | 2N6766 | N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFET | Omnirel |
49301 | 2N6767 | MOSFETs/1Ä/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49302 | 2N6768 | 400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âe | International Rectifier |
49303 | 2N6768 | MOSFETs/1Ä/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49304 | 2N6768 | N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFET | Omnirel |
49305 | 2N6769 | MOSFETs/1À/450V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49306 | 2N6770 | 500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa | International Rectifier |
49307 | 2N6770 | MOSFETs/1À/450V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49308 | 2N6770 | N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFET | Omnirel |
49309 | 2N6781 | 60 V, 06 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
49310 | 2N6782 | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
49311 | 2N6782 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
49312 | 2N6782 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. 3,5 A, 100V. | General Electric Solid State |
49313 | 2N6782 | 100 V, 06 ohm, a canale N enhancement modalità D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
49314 | 2N6782LCC4 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
49315 | 2N6784 | 200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
49316 | 2N6786 | 400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
49317 | 2N6786 | Mosfet della N-Scanalatura in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO39 | SemeLAB |
49318 | 2N6788 | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
49319 | 2N6788 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. 6.0 A, 100V. | General Electric Solid State |
49320 | 2N6790 | 200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
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