No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
49321 | 2N6790 | Alimentazione 200V/Di 3.Ä/0,800 Ohm/N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49322 | 2N6792 | 400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
49323 | 2N6794 | 500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
49324 | 2N6794 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
49325 | 2N6796 | Å, 100V, 0,180 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
49326 | 2N6796 | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
49327 | 2N6796 | TRANSISTORE N - MANICA Del Fet Di TMOS | SemeLAB |
49328 | 2N6796 | Mosfet Di Alimentazione 100V/Di Å/0,180 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
49329 | 2N6796 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. 8.0 A, 100V. | General Electric Solid State |
49330 | 2N6796 | N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFET | Omnirel |
49331 | 2N6796LCC4 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
49332 | 2N6798 | 200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
49333 | 2N6798 | TRANSISTORE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SemeLAB |
49334 | 2N6798 | N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFET | Omnirel |
49335 | 2N6800 | 400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
49336 | 2N6800 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
49337 | 2N6800 | N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFET | Omnirel |
49338 | 2N6802 | 500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
49339 | 2N6802 | N-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFET | Omnirel |
49340 | 2N6804 | -100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa | International Rectifier |
49341 | 2N6806 | -200V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in unpacchetto di TO-204AA | International Rectifier |
49342 | 2N681 | SCR di controllo di fase di 25V 1Ã in un pacchetto di To-20åa (To-48) | International Rectifier |
49343 | 2N681 | 25 e 35 ampère RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
49344 | 2N681 | SCR Al piombo Del Tiristore | Central Semiconductor |
49345 | 2N681 | 25A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 35V. | General Electric Solid State |
49346 | 2N681A | SCR Al piombo Del Tiristore | Central Semiconductor |
49347 | 2N682 | SCR di controllo di fase di 50V 1Ã in un pacchetto di To-20åa (To-48) | International Rectifier |
49348 | 2N682 | 25 e 35 ampère RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
49349 | 2N682 | SCR Al piombo Del Tiristore | Central Semiconductor |
49350 | 2N682 | 25A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 75V. | General Electric Solid State |
49351 | 2N682A | SCR Al piombo Del Tiristore | Central Semiconductor |
49352 | 2N683 | SCR di controllo di fase di 100V 1Ã in un pacchetto di To-20åa (To-48) | International Rectifier |
49353 | 2N683 | 25 e 35 ampère RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
49354 | 2N683 | SCR Al piombo Del Tiristore | Central Semiconductor |
49355 | 2N683 | 25A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 150V. | General Electric Solid State |
49356 | 2N683A | SCR Al piombo Del Tiristore | Central Semiconductor |
49357 | 2N684 | SCR di controllo di fase di 150V 1Ã in un pacchetto di To-20åa (To-48) | International Rectifier |
49358 | 2N684 | SCR Al piombo Del Tiristore | Central Semiconductor |
49359 | 2N684 | 25A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 225V. | General Electric Solid State |
49360 | 2N6845 | -100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
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