No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
56641 | 2SC6000 | Transistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitą | TOSHIBA |
56642 | 2SC6012 | Dispositivo Di Alimentazione - Transistori Di Alimentazione - Television/Display | Panasonic |
56643 | 2SC6023 | Frequenza ultraelevata planare epitassiale del transistore del silicone di NPN all'amplificatore di Basso-Rumore della fascia di C ed alle applicazioni dell'OSCILLATORE | SANYO |
56644 | 2SC6023 | Frequenza ultraelevata planare epitassiale del transistore del silicone di NPN all'amplificatore di Basso-Rumore della fascia di C ed alle applicazioni dell'OSCILLATORE | SANYO |
56645 | 2SC6024 | Frequenza ultraelevata all'amplificatore di Basso-Rumore della fascia di C ed alle applicazioni dell'OSCILLATORE | SANYO |
56646 | 2SC6024 | Frequenza ultraelevata all'amplificatore di Basso-Rumore della fascia di C ed alle applicazioni dell'OSCILLATORE | SANYO |
56647 | 2SC6026CT | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione | TOSHIBA |
56648 | 2SC6026MFV | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione | TOSHIBA |
56649 | 2SC6033 | Tipo Epitassiale Del Silicone NPN Del Transistore di TOSHIBA | TOSHIBA |
56650 | 2SC6033 | Tipo Epitassiale Del Silicone NPN Del Transistore di TOSHIBA | TOSHIBA |
56651 | 2SC6036 | Dispositivo small-signal - transistore small-signal - Generale-usi Amplifires a bassa frequenza | Panasonic |
56652 | 2SC6036G | Epitassiale del silicone NPN tipo planare | Panasonic |
56653 | 2SC6037G | Epitassiale del silicone NPN tipo planare | Panasonic |
56654 | 2SC6037J | Dispositivo small-signal - transistore small-signal - Generale-usi Amplifires a bassa frequenza | Panasonic |
56655 | 2SC6043 | Bipolar Transistor, 50V, 2A, Basso VCE (sat) NPN singolo MP | ON Semiconductor |
56656 | 2SC6045 | Epitassiale del silicone NPN tipo planare | Panasonic |
56657 | 2SC6045G | Epitassiale del silicone NPN tipo planare | Panasonic |
56658 | 2SC6046 | Transistor 200mW SMD NPN, il massimo punteggio: 40 V Vceo, 600mA Ic, 100 a 300 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
56659 | 2SC605 | TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN | Unknow |
56660 | 2SC605 | TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN | Unknow |
56661 | 2SC6050 | Epitassiale del silicone NPN tipo planare | Panasonic |
56662 | 2SC6054G | Epitassiale del silicone NPN tipo planare | Panasonic |
56663 | 2SC6054J | Epitassiale del silicone NPN tipo planare | Panasonic |
56664 | 2SC606 | TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN | Unknow |
56665 | 2SC606 | TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN | Unknow |
56666 | 2SC6061 | Transistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitą | TOSHIBA |
56667 | 2SC607 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP/npn | Unknow |
56668 | 2SC607 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP/npn | Unknow |
56669 | 2SC6076 | Transistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitą | TOSHIBA |
56670 | 2SC6078 | Transistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitą | TOSHIBA |
56671 | 2SC6097 | Bipolar Transistor, 60V, 3A, Basso VCE (sat), NPN singolo TP / TP-FA | ON Semiconductor |
56672 | 2SC6100 | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione | TOSHIBA |
56673 | 2SC6102 | NPN Transistor bipolare per convertitori DC-DC | ON Semiconductor |
56674 | 2SC6124 | Transistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitą | TOSHIBA |
56675 | 2SC6125 | Transistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitą | TOSHIBA |
56676 | 2SC6126 | Transistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitą | TOSHIBA |
56677 | 2SC6127 | Transistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitą | TOSHIBA |
56678 | 2SC6133 | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione | TOSHIBA |
56679 | 2SC6134 | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione | TOSHIBA |
56680 | 2SC6135 | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione | TOSHIBA |
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